发明授权
- 专利标题： CMP slurry composition for tungsten
- 专利标题（中）： 钨的CMP浆料组成
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申请号： US13643375申请日： 2012-07-06
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公开(公告)号： US09163314B2公开(公告)日： 2015-10-20
- 发明人: Jea-Gun Park , Jin-Hyung Park , Jae-Hyung Lim , Jong-Young Cho , Ho Choi , Hee-Sub Hwang
- 申请人： Jea-Gun Park , Jin-Hyung Park , Jae-Hyung Lim , Jong-Young Cho , Ho Choi , Hee-Sub Hwang
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： INDUSTRIAL BANK OF KOREA
- 当前专利权人： INDUSTRIAL BANK OF KOREA
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Lucas & Mercanti, LLP
- 优先权： KR10-2011-0081207 20110816; KR10-2011-0117872 20111111
- 国际申请： PCT/KR2012/005397 WO 20120706
- 国际公布： WO2013/024971 WO 20130221
- 主分类号： C09K3/14
- IPC分类号： C09K3/14 ; C09G1/02 ; C23F1/30 ; C23F3/06
摘要：
The present invention relates to a CMP slurry composition for polishing tungsten comprising a abrasive and a polishing chemical, wherein the abrasive comprises colloidal silica dispersed in ultra-pure water, and the polishing chemical comprises hydrogen peroxide, ammonium persulfate and iron nitrate. The slurry composition is not discolored and has good etching selectivity, so as to be applied to a CMP process.
公开/授权文献
- US20130214199A1 CMP SLURRY COMPOSITION FOR TUNGSTEN 公开/授权日：2013-08-22
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