公开(公告)号：CN110570797A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910484145.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暻浩 ,  金晋镐 ,  李在烈 ,  林炫旭 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

Abstract: 一种电子设备包括：定时控制器，生成要发送给显示驱动器集成电路(DDI)的命令，该显示驱动器集成电路是从通过数据线和共享通道连接到定时控制器的多个显示驱动器集成电路(DDI)中选择的。DDI是通过DDI控制信号来选择的，并且通过共享通道将命令从定时控制器传递给DDI，其中DDI控制信号是通过数据线中的相应数据线从定时控制器传递给DDI的。

公开(公告)号：CN102270423A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110146545.X

申请日：2011-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白东勋 ,  李在烈 ,  裵汉秀 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/2096 ,  G09G5/008 ,  G09G2330/021

Abstract: 根据示例实施例，一种显示驱动集成电路(IC)包括定时控制器和多个源极驱动器。所述定时控制器被配置为将多个信号输出至所述多个源极驱动器，以及所述多个源极驱动器和定时控制器中的至少一个被配置为在初始化时段、数据传输时段、以及垂直消隐时段中的至少一个时段中在掉电模式下操作。根据示例实施例，一种在显示驱动IC中使用的模式转换方法包括：响应于待机控制信号，在正常模式和掉电模式之间进行切换。在初始化时段、数据传输时段、以及垂直消隐时段中的至少一个时段中，在包括在显示驱动IC中的多个源极驱动器和定时控制器中的至少一个上执行掉电模式。

公开(公告)号：CN110570797B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201910484145.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暻浩 ,  金晋镐 ,  李在烈 ,  林炫旭 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

Abstract: 一种电子设备包括：定时控制器，生成要发送给显示驱动器集成电路(DDI)的命令，该显示驱动器集成电路是从通过数据线和共享通道连接到定时控制器的多个显示驱动器集成电路(DDI)中选择的。DDI是通过DDI控制信号来选择的，并且通过共享通道将命令从定时控制器传递给DDI，其中DDI控制信号是通过数据线中的相应数据线从定时控制器传递给DDI的。

公开(公告)号：CN102270423B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110146545.X

申请日：2011-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白东勋 ,  李在烈 ,  裵汉秀 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/2096 ,  G09G5/008 ,  G09G2330/021

Abstract: 根据示例实施例，一种显示驱动集成电路(IC)包括定时控制器和多个源极驱动器。所述定时控制器被配置为将多个信号输出至所述多个源极驱动器，以及所述多个源极驱动器和定时控制器中的至少一个被配置为在初始化时段、数据传输时段、以及垂直消隐时段中的至少一个时段中在掉电模式下操作。根据示例实施例，一种在显示驱动IC中使用的模式转换方法包括：响应于待机控制信号，在正常模式和掉电模式之间进行切换。在初始化时段、数据传输时段、以及垂直消隐时段中的至少一个时段中，在包括在显示驱动IC中的多个源极驱动器和定时控制器中的至少一个上执行掉电模式。

公开(公告)号：CN104809972A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510047144.7

申请日：2015-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙勋 ,  李善益 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3607 ,  G09G3/2085 ,  G09G3/2096 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/06

Abstract: 提供显示驱动集成电路、显示设备和/或操作显示驱动集成电路的方法。可以提供显示驱动集成电路，其包括：定时控制器，处理输入数据和输出数据；和源极驱动单元，包括至少一个源极驱动器以及将通过连接到所述定时控制器的传输信道接收到的输出数据转换成模拟数据并且输出模拟数据作为显示数据。可以提供定时控制器，其包括：数据选择单元，将输入数据的变换计数与通过将输入数据编码得到的编码数据的变换计数进行比较，以及根据所述比较输出输入数据和编码数据中的一个作为选择数据；数据随机化单元，将选择数据随机化并且生成随机数据；和数据发送单元，将所述随机数据转换为输出数据。

公开(公告)号：CN109036241A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810578729.5

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳根浩 ,  金炳瓘 ,  罗钟熙 ,  朴容允 ,  白承桓 ,  蔡明俊 ,  崔荣敏

IPC: G09G3/20

Abstract: 公开了一种显示驱动设备，包括：源极驱动器，所述源极驱动器将电压供应到连接至像素的源极线，检测所述源极线的所述电压的转换时间，以及输出所述转换时间；以及时序控制器，所述时序控制器从所述源极驱动器接收所述转换时间并根据所述转换时间更新所述源极驱动器控制所述电压的方式。

公开(公告)号：CN103247795A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049098.5

申请日：2013-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋旼相 ,  金昤希 ,  孙精国 ,  崔荣敏 ,  崔在万 ,  权问奭 ,  黄胜湜

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01G1/02 ,  C01G23/005 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供锂钛氧化物、其制法、含其的负极及包括该负极的锂电池。尖晶石型锂钛氧化物在约3kHz至约50kHz的旋转速度下具有约1.73或更小的FWHM1/FWHM2之比的所有比，其中FWHM1是在所述锂钛氧化物的固态核磁共振谱中存在于约-10ppm至约+10ppm处的7Li峰的半宽度，FWHM2是在氯化锂标准试剂的固态核磁共振谱中存在于约-10ppm至约+10ppm处的7Li峰的半宽度，且FWHM1和FWHM2是在相同的旋转速度下测量的。

公开(公告)号：CN100462823C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN103247795B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310049098.5

申请日：2013-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋旼相 ,  金昤希 ,  孙精国 ,  崔荣敏 ,  崔在万 ,  权问奭 ,  黄胜湜

IPC: H01M4/485 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01G1/02 ,  C01G23/005 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供锂钛氧化物、其制法、含其的负极及包括该负极的锂电池。尖晶石型锂钛氧化物在约3kHz至约50kHz的旋转速度下具有约1.73或更小的FWHM1/FWHM2之比的所有比，其中FWHM1是在所述锂钛氧化物的固态核磁共振谱中存在于约‑10ppm至约+10ppm处的7Li峰的半宽度，FWHM2是在氯化锂标准试剂的固态核磁共振谱中存在于约‑10ppm至约+10ppm处的7Li峰的半宽度，且FWHM1和FWHM2是在相同的旋转速度下测量的。

公开(公告)号：CN1527115A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。