公开(公告)号：CN101051583A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610142801.7

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

摘要： 本发明提供一种使用碳纳米管的场发射电极及制造其的方法。该场发射电极包括基板、形成在基板上的ZnO层、及形成在ZnO层上的碳纳米管。因此，场发射装置的驱动电压可通过向场发射装置应用包括形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极而降低。

公开(公告)号：CN1312318C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03107258.5

申请日：2003-03-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 闵约赛 ,  裵恩珠 ,  崔原凤 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC分类号： C23C16/01 ,  C01G55/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

摘要： 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：CN1252804C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN100517608C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410083252.1

申请日：2004-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 闵约赛 ,  曹永真

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/12611

摘要： 一种用在半导体器件中的非晶电介质薄膜和制造该非晶电介质薄膜的方法。该非晶电介质薄膜包括用作诸如DRAM器件中电容器的电介质材料的Bi、Ti、Si和O，并具有60或更高的介电常数。这样的BTSO基薄膜即使在其厚度已经减小时也能防止泄露电流的增加，因此允许半导体器件被高度集成。

公开(公告)号：CN1832201A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004393.9

申请日：2006-02-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱亨 ,  韩祯希 ,  金桢雨 ,  闵约赛 ,  金汶庆 ,  郑渊硕

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： 本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。

公开(公告)号：CN1448533A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03103568.X

申请日：2003-01-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 闵约赛 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC分类号： C23C16/30

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45553

摘要： 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属－有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β－二酮配体的金属－有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。

公开(公告)号：CN100474623C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510087415.8

申请日：2005-07-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/002 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/938

摘要： 本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。

公开(公告)号：CN100437932C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410028392.9

申请日：2004-03-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李正贤 ,  徐范锡 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

摘要： 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。

公开(公告)号：CN1895998A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610009244.1

申请日：2006-02-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  Y10S977/845

摘要： 本发明提供一种利用H2O等离子体在相对低温下生长良好的单壁碳纳米管的方法。该方法包括：准备真空室；在该真空室中制备其上沉积有催化剂金属的基底；蒸发要供应给真空室中的H2O；在真空室中产生H2O等离子体放电；及向真空室中供应源气体，从而在H2O等离子体气氛中在基底上生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1234907C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03103568.X

申请日：2003-01-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 闵约赛 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC分类号： C23C16/30

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45553

摘要： 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属-有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β-二酮配体的金属-有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。