公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN102376379B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110232388.4

申请日：2011-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  李殷成 ,  池尚洙 ,  李相睦

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/22

Abstract: 本发明涉及导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池。所述导电糊料包含导电粉末、金属玻璃和有机载体，其中所述金属玻璃包括选自具有低电阻率的元素、与所述导电粉末形成固溶体的元素、或者具有高氧化电势的元素的至少两种元素的合金，其中所述具有低电阻率的元素具有小于约100微欧-厘米的电阻率，和所述具有高氧化电势的元素具有约100千焦/摩尔或更大的氧化物形成吉布斯自由能绝对值。

公开(公告)号：CN105321591A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02562 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/54

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1：MeCh2。

公开(公告)号：CN103477396A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280017966.5

申请日：2012-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金奭埈 ,  李殷成 ,  池尚洙 ,  许廷娜

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0224 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/10 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/286 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  C22C21/00 ,  C22C45/00 ,  C22C45/08 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种导电膏包括导电粉末、金属玻璃和有机载体，该金属玻璃具有小于或等于约600℃的玻璃转变温度以及大于或等于0K的过冷液态区，电子器件和太阳能电池包括利用该导电膏形成的电极。

公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。

公开(公告)号：CN116789298A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310008885.9

申请日：2023-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹钟夏 ,  金世润 ,  朴宙熙 ,  李枝连 ,  申哲珉

IPC: C02F9/00 ,  B01D63/02 ,  B01D61/58 ,  E03B1/04 ,  E03B7/07 ,  H01L21/67 ,  C02F103/04 ,  C02F1/42 ,  C02F1/28 ,  C02F1/44

Abstract: 提供了超纯水供应设备、基板处理系统和基板处理方法。超纯水供应设备包括：第一供应装置，生产第一超纯水；第二供应装置，生产第二超纯水；第一备用供应装置，向所述第二供应装置提供所述第一供应装置中的流体的一部分；以及第二备用供应装置，向所述第一供应装置提供所述第二供应装置中的流体的一部分。所述第一供应装置包括第一前侧过滤部件、第一后侧过滤部件和第一连接部件。所述第二供应装置包括第二前侧过滤部件、第二后侧过滤部件和第二连接部件。所述第一备用供应装置和所述第二备用供应装置中的每一者将所述第一连接部件和所述第二连接部件彼此连接。

公开(公告)号：CN1305189C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200310122278.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/00 ,  G02F1/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/141 ,  H01S5/146

Abstract: 一种波长可调激光器设备包括半导体基片、Fabry-Perot(FP)激光器和平面光波电路。该FP激光器形成的半导体基片的一端，具有多个纵模。该平面光波电路形成在半导体基片的另一端，并包括波导和围绕波导的包层，光栅刻成波导的一部分。从FP激光器输出的光耦合到波导，该光栅反射不同波长的多个光束，且FP激光器通过从光栅反射的光束中的一个来锁定波长。

公开(公告)号：CN1578023A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200310122278.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/00 ,  G02F1/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/141 ,  H01S5/146

Abstract: 一种波长可调激光器设备包括半导体基片、Fabry－Perot(FP)激光器和平面光波电路。该FP激光器形成的半导体基片的一端，具有多个纵模。该平面光波电路形成在半导体基片的另一端，并包括波导和围绕波导的包层，光栅刻成波导的一部分。从FP激光器输出的光耦合到波导，该光栅反射不同波长的多个光束，且FP激光器通过从光栅反射的光束中的一个来锁定波长。

公开(公告)号：CN1175295C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99124832.5

申请日：1999-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 章絑宁 ,  金善旭 ,  金世润 ,  金玟成

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/16

CPC classification number: G02B6/02095 ,  G02B6/0219 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/1055

Abstract: 提供有一种长周期光纤光栅滤光器装置。包括：在其中每隔预定周期形成长周期光纤光栅的纤芯，包围纤芯的包层，覆盖没有长周期光纤光栅之包层部分的涂层，覆盖具有长周期光纤光栅之包层部分的再涂层，根据加到纤芯之掺杂剂总量相对于温度变化其耦合波长具有负波长漂移范围的纤芯/包层折射率变化部分，以及其折射率在温度增加时下降并且耦合波长具有正波长漂移范围的包层/再涂层折射率变化部分。因此，纤芯展示了负的耦合波长漂移。

公开(公告)号：CN1292500A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00119988.9

申请日：2000-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  辛相吉 ,  金玟成

IPC: G02B6/124 ,  G02B5/18

CPC classification number: G02B6/02138 ,  G02B6/02085

Abstract: 变迹光纤光栅制造设备包括:紫外激光器;分束器;多个反射镜;相位掩模,它让反射的光束通过,以便以预定的周期在光纤内形成光栅;第一遮断装置,它位于相位掩模和反射镜之一之间,逐渐遮断两束光束之一,使之不能从一个方向投射在光纤上而向形成的光栅提供变迹;相对于光纤位于第一遮断装置对面的第二遮断装置,它逐渐遮断另一束光束,使之不能从另一个方向投射在光纤上;于是向形成的光栅提供变迹,使得在整个光栅上平均折射率的变化是恒定的。