有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102479798A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201110165818.5

    申请日:2011-06-14

    CPC classification number: H01L27/3265 H01L27/1222

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。在有机发光二极管(OLED)显示器和制造方法中,OLED显示器包括:基底;半导体层图案,形成在基底上,并包括第一电容器电极;栅极绝缘层,覆盖半导体层图案;第一导电层图案,形成在栅极绝缘层上,并包括第二电容器电极,第二电容器电极具有与第一电容器电极叠置的至少一部分;层间绝缘层,具有暴露第二电容器电极的一部分的电容器开口,并覆盖第二电容器电极;第二导电层图案,形成在层间绝缘层上,其中,电容器开口包括与第二电容器电极平行且叠置的第一横向侧壁、与第二电容器电极平行且不叠置的第二横向侧壁以及将第一横向侧壁和第二横向侧壁彼此连接且与第一电容器电极叠置的纵向侧壁。

    有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102420238A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110170399.4

    申请日:2011-06-20

    CPC classification number: H01L51/56 H01L27/3258 H01L27/3262 H01L27/3265

    Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器及其制造方法。OLED的制造方法包括:在基底上形成第一存储板和覆盖第一存储板的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上顺序地形成覆盖第一存储板的第二存储板和电容器中间体;在第一存储板中通过将杂质注入到第一存储板的未被电容器中间体覆盖的部分来形成第一掺杂区;形成具有暴露电容器中间体的电容器开口的层间绝缘层,并且在所述电容器开口中在电容器中间体的朝向第一掺杂区的边缘上形成多个腐蚀防止层;去除电容器中间体和腐蚀防止层;通过第二存储板在第一存储板中注入杂质,以形成接触第一掺杂区的第二掺杂区。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102044568A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201010504260.4

    申请日:2010-10-11

    CPC classification number: H01L29/78609 H01L29/78618

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括:基底;栅电极,设置在基底上;栅极绝缘层,设置在栅电极上;半导体层,设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层;欧姆接触层,设置在半导体层的预定区域上;绝缘的中间层,设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上;源电极和漏电极,通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此,当控制底栅式TFT的截止电流时,可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102487071A

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201110305609.6

    申请日:2011-10-11

    CPC classification number: H01L27/1255 H01L27/3276 H01L29/4908

    Abstract: 在有机发光显示装置及其制造方法中,有机发光显示装置的焊盘区包括突起层、焊盘下电极和焊盘上电极,所述突起层包括形成在基板上以突起的多个突起部分,所述焊盘下电极包括沿突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分,并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。源/漏电极层形成在焊盘上电极上,有机层形成在所述源/漏电极层上,并且对电极层形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上。所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。根据这种结构,成本由于掩膜数目的减少而降低,制造工艺得以简化,并且所述焊盘区中的有机层的剥离现象得以解决。

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