公开(公告)号：CN101946322B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN101946322A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。