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公开(公告)号：CN107785292B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201710733231.7
申请日：2017-08-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/30
摘要： 一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理方法中，向被支承成可旋转的基板供给第1处理液或第2处理液，对基板进行处理，即使是该基板处理方法包括使基板低速旋转的工序的情况下，也按照类别回收来自基板的处理液。在显影处理装置中，在正型显影处理之际，使分配部上升，将来自晶圆的正型显影液从分配部与固定杯之间向正型用回收口引导，在负型显影处理之际，使分配部下降，将来自晶圆的负型显影液从分配部与外周壁之间向负型用回收口引导。在固定杯的外周端形成有在分配部下降后该分配部的内周侧端落入的台阶，以使在负型显影处理之际负型显影液不被向正型用回收口引导，并且分配部的上表面的角度形成得比台阶的形成上部的倾斜面的角度大。
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公开(公告)号：CN112445086A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010849612.3
申请日：2020-08-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理，包括：工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液，用该水系清洗液对该基板进行清洗；工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性层；和，工序(D)，对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗，前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速的工序(b)，前述工序(b)中的减速度小于前述工序(a)中的加速度。
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公开(公告)号：CN112447503A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010880215.2
申请日：2020-08-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，对于抑制抗蚀图案的图案倒塌有效。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：向形成有抗蚀膜的基板的表面供给用于形成抗蚀图案的显影液；执多次清洗处理，该清洗处理是向形成有抗蚀图案的基板的表面供给包含具有亲水基的改性剂的改性液并向基板的表面供给用于去除改性液的冲洗液的处理；以及在执行多次清洗处理后，使基板的表面干燥。
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公开(公告)号：CN111913358A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010366185.3
申请日：2020-04-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/67 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种贮藏器、基板处理装置以及贮藏器的使用方法。用于防止向作为被处理体的基板供给含有泡的处理液。贮藏器具备：容器部，其具有上壁、侧壁以及底壁，在内部收容处理液；液体喷出路径，其具有设置在比收容于容器部内的处理液的液面高的位置的液体喷出口，能够向容器部内喷出处理液；以及气体喷出路径，其具有设置在比液面高的位置的气体喷出口，能够向容器部内喷出气体。液体喷出路径能够以使处理液碰到侧壁中的比液面靠上方的部分的方式从液体喷出口喷出处理液。气体喷出路径能够以使气体碰到比容器部的内表面中的比液面靠上方的部分的方式从气体喷出口喷出气体。
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公开(公告)号：CN109560017A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811119294.4
申请日：2018-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央部侧向周缘部侧移动，上述清洗液喷嘴(421)用于向基片(W)的旋转方向的下游侧对基片(W)的表面倾斜地排出清洗液，上述气体喷嘴(411)用于向清洗液的着液位置(R)的靠基片(W)的中央部侧的相邻的位置排出气体。此时，使基片(W)的转速变化，以使得着液位置(R)在周缘部侧的第二区域移动的期间中的转速小于着液位置(R)在中央部侧的第一区域移动的期间中的最大转速。
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公开(公告)号：CN112786484A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011136919.5
申请日：2020-10-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 甲斐亚希子
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027
摘要： 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中，与处理前的基片表面的接触角的大小无关地，能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包括：对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面，供给水溶性聚合物的溶液的工序；用供给的水溶性聚合物的溶液，使抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；在亲水化的工序后，一边使基片旋转，一边对基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和使被供给了清洗液的基片干燥的工序，水溶性聚合物的溶液具有使抗蚀剂膜的酸的浓度处于容许范围内的pH值。
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公开(公告)号：CN107785292A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710733231.7
申请日：2017-08-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/30
CPC分类号： H01L21/6715 , G03F7/3092 , H01L21/0274
摘要： 一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理方法中，向被支承成可旋转的基板供给第1处理液或第2处理液，对基板进行处理，即使是该基板处理方法包括使基板低速旋转的工序的情况下，也按照类别回收来自基板的处理液。在显影处理装置中，在正型显影处理之际，使分配部上升，将来自晶圆的正型显影液从分配部与固定杯之间向正型用回收口引导，在负型显影处理之际，使分配部下降，将来自晶圆的负型显影液从分配部与外周壁之间向负型用回收口引导。在固定杯的外周端形成有在分配部下降后该分配部的内周侧端落入的台阶，以使在负型显影处理之际负型显影液不被向正型用回收口引导，并且分配部的上表面的角度形成得比台阶的形成上部的倾斜面的角度大。
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公开(公告)号：CN109560017B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811119294.4
申请日：2018-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央部侧向周缘部侧移动，上述清洗液喷嘴(421)用于向基片(W)的旋转方向的下游侧对基片(W)的表面倾斜地排出清洗液，上述气体喷嘴(411)用于向清洗液的着液位置(R)的靠基片(W)的中央部侧的相邻的位置排出气体。此时，使基片(W)的转速变化，以使得着液位置(R)在周缘部侧的第二区域移动的期间中的转速小于着液位置(R)在中央部侧的第一区域移动的期间中的最大转速。
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公开(公告)号：CN110088879B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201780078047.1
申请日：2017-12-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32
摘要： 对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法包括如下工序：图案形成工序，对基板供给显影液而使基板上的抗蚀膜显影来形成抗蚀图案；涂布工序，对经显影的基板涂布水溶性聚合物的水溶液；以及冲洗工序，对涂布了该水溶性聚合物的水溶液的基板供给冲洗液来清洗基板。
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公开(公告)号：CN114100967A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110953845.2
申请日：2021-08-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 甲斐亚希子
摘要： 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，用于在基板的周缘部形成膜厚更均匀的处理膜。对基板表面的周缘部形成处理膜的基板处理方法包括：向所述周缘部供给用于形成所述处理膜的处理液；以及使被供给到所述基板表面中的比被供给了所述处理液的区域更靠内侧的区域的成形用溶剂与被供给到所述周缘部的所述处理液的靠所述基板的中央侧的边界接触。
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