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公开(公告)号：CN118818893A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410434702.4
申请日：2024-04-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基板处理系统、基板处理装置以及基板处理方法，使通过含金属的抗蚀膜的形成、曝光以及显影等处理形成的图案的线宽在基板组之间均匀化。基板处理系统对基板进行图案形成，所述基板处理系统由被依次搬送用于收容所述基板的搬送容器的多个装置构成，所述基板处理系统具备：第一装置，其构成所述多个装置中的一个装置，用于在所述基板形成含金属的抗蚀膜；第二装置，其构成所述多个装置中的另一个装置，用于对被进行了曝光的所述含金属的抗蚀膜进行显影；以及气氛调整部，其将被进行显影之前的、形成有所述含金属的抗蚀膜的多个所述基板收容于收容空间，并对所述收容空间的气氛进行调整，以调整各所述基板的含金属的抗蚀膜的反应进度。
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公开(公告)号：CN118655748A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410261516.5
申请日：2024-03-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供能够抑制在基片上形成的含金属抗蚀剂膜的变质的基片输送方法和基片输送装置。本发明的基片输送方法包括：待机步骤，在将形成有含金属抗蚀剂膜的基片从第一载置部向第二载置部输送的输送路径中，与所述输送路径中的异常相应地，不将所述基片向所述第二载置部输送，而将所述基片输送到形成有与所述第一载置部的第一气氛不同的第二气氛的待机室以使所述基片在该第二气氛中待机。
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公开(公告)号：CN116018561A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180055575.1
申请日：2021-08-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/40
摘要： 本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。
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公开(公告)号：CN114269481A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080055978.1
申请日：2020-08-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
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公开(公告)号：CN118663480A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410685703.6
申请日：2020-08-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
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公开(公告)号：CN118380359A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410046194.2
申请日：2024-01-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308
摘要： 本发明提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。
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公开(公告)号：CN118377198A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410061551.2
申请日：2024-01-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/38
摘要： 本发明提供基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质，能够得到含金属的抗蚀剂的良好的图案。包括对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜且实施了曝光处理和上述曝光处理后的加热处理的基片进行显影的工序，上述显影的工序包括：在大气压以上的压力下使上述基片暴露于酸性气氛中的工序，其中，上述酸性气氛是含有弱酸气体的气氛；和对上述基片加热来除去因上述含金属的抗蚀剂与上述弱酸气体的反应而产生的生成物的工序。
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公开(公告)号：CN114269481B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202080055978.1
申请日：2020-08-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
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公开(公告)号：CN112447503A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010880215.2
申请日：2020-08-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，对于抑制抗蚀图案的图案倒塌有效。本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：向形成有抗蚀膜的基板的表面供给用于形成抗蚀图案的显影液；执多次清洗处理，该清洗处理是向形成有抗蚀图案的基板的表面供给包含具有亲水基的改性剂的改性液并向基板的表面供给用于去除改性液的冲洗液的处理；以及在执行多次清洗处理后，使基板的表面干燥。
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公开(公告)号：CN221805478U
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202420076098.8
申请日：2024-01-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/308
摘要： 本实用新型提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。
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