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公开(公告)号：CN117492335A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202410001412.0
申请日：2024-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。
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公开(公告)号：CN116192079A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202777.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10 , H03H9/25 , H03H9/145 , H10N30/067 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及制备方法，采用直写光刻及干法刻蚀相结合的工艺制备所述金属电极，与传统剥离方案相比具有工艺流程稳定易控制、步骤少、重复性高和良品率高等优点，且所述金属电极低温下超导，从而可与超导集成电路工艺兼容，使得其在声表面波器件与超导量子器件集成耦合、高性能高频率声表面波谐振器及滤波器等研究或工业制造方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115015309A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210879520.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种胶型侧壁形貌表征方法，该方法包括：提供待测样品，待测样品包括衬底与位于衬底上方的胶层，胶层中设有图形化的开口；于待测样品的预设区域进行切割以显露特征结构的纵截面；采用图像采集装置获取特征结构的纵截面图像与表面图像；基于表面图像获取待侧样品的特征尺寸，基于纵截面图像获取待侧样品的胶层厚度及开口的纵截面面积值，基于特征尺寸、胶层厚度及开口的纵截面面积值表征胶型侧壁形貌。本发明的胶型侧壁形貌表征方法基于常规图像采集装置测试即可实现，对图像测量的误差具有较高的宽容度；并且，能够实现对高深宽比胶型结构侧壁形貌的高效、准确的表征，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的胶型侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN113839644A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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公开(公告)号：CN111719121B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910687680.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种面外高度取向CuFeSb薄膜制备方法，该方法包括以下步骤：S1.制备CuFeSb多晶靶材；S2.提供一立方或四方晶型单晶衬底；S3.对所述单晶衬底进行清洗处理；S4.对清洗后的所述单晶衬底进行退火处理；S5.烧蚀所述CuFeSb多晶靶材，在所述单晶衬底表面生长CuFeSb薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，可以制备出面外高度取向的CuFeSb薄膜，有助于推动CuFeSb物性的研究，且该薄膜相比多晶体材料拥有很大的优势，拓展了CuFeSb物性调控的手段，对该材料在基础研究和磁性材料应用上有极大价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114899302B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210457555.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种拐弯区加厚型SNSPD器件的制备方法，基于电子束灰度曝光，形成具有高度差的电子束抗蚀掩膜，以作为超导薄膜的图形掩模，然后通过具有明显刻蚀选择比的刻蚀工艺进行图形转移，形成包括直线区和拐弯区的超导纳米线，且拐弯区对应的超导纳米线的厚度大于直线区对应的超导纳米线的厚度，从而制备拐弯区加厚型SNSPD器件，较大程度地抑制电流拥挤效应，且具有较高的临界电流和低暗计数率等优势，显著提高SNSPD器件的性能。本发明仅通过一步电子束曝光和一步图形转移，即可实现拐角区加厚的超导纳米线的制备，简化了制备工艺流程，且可提升拐弯区加厚型SNSPD器件的性能及制备良率。
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公开(公告)号：CN118510375A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310117475.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结制备方法及超导电子器件制备方法，先形成呈条状的上电极超导线条，然后将上电极超导线条刻蚀形成块状的上超导电极，相对直接形成块状的超导电极能够更加精确的控制约瑟夫森结的尺寸，提高制备得到的超导电子器件的工作性能及稳定性；同时，由于上电极超导线条的材料与第一绝缘层的材料相比，刻蚀选择比更高，刻蚀形成上超导电极时，不会对第一绝缘层产生影响，而且，控制刻蚀形成上超导电极的刻蚀方向及刻蚀时间，通过过刻可以使形成的上超导电极的下表面表面积做到更小，也即使得形成的约瑟夫森结尺寸做到更小，提高制备得到的超导电子器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN117881269A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211209042.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明提供一种分步刻蚀的约瑟夫森结制备方法，至少包括：1)提供衬底，于衬底表面依次沉积第一超导材料层、势垒层、第二超导材料层；2)利用光刻和显影工艺，在第二超导材料层表面形成第一光刻胶图形，将第一光刻胶图形作为掩模，刻蚀部分第二超导材料层，以形成上电极和覆盖势垒层的超导薄层，去除第一光刻胶图形；3)利用光刻和显影工艺，在上电极和超导薄层表面形成第二光刻胶图形，将第二光刻胶图形作为掩模，依次刻蚀超导薄层和势垒层，去除第二光刻胶图形；4)刻蚀第一超导材料层，以形成下电极。本发明在刻蚀势垒层之前，在其表面保留了很薄的一层超导材料层，可以隔绝光刻显影时势垒层与显影液的反应，避免生成黑色反应物。
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公开(公告)号：CN117492335B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410001412.0
申请日：2024-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。
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公开(公告)号：CN117270339A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311550305.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种绝缘衬底上高精度电子束套刻标记及制备方法，该制备方法包括：提供绝缘衬底，绝缘衬底上设置有抗蚀剂层和导电胶层；采用电子束曝光法图形化抗蚀剂层和导电层形成第一开口；于第一开口中形成标记金属层，并去除导电胶层和抗蚀剂层；于绝缘衬底上形成光刻胶层，采用光学曝光法图形化光刻胶层以形成第二开口，第二开口显露标记金属层；于第二开口中形成覆盖金属层，覆盖金属层覆盖标记金属层。本发明中覆盖金属层遮蔽了标记金属层图形区域下的绝缘衬底，避免电子束套刻时标记识别和定位过程中的电荷累积效应，同时标记扫描时两种金属具有明显的电子衬底，充分保证了标记图形可以进行精确的识别和定位，从而实现高精度电子束套刻工艺。
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