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公开(公告)号：CN103794513B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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公开(公告)号：CN103794544A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210419100.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , C23C28/00 , C25D5/02
Abstract: 本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜层；最后去除所述图形掩膜及所述图形掩膜覆盖的种子层，以完成制作。本发明具有以下有益效果：本发明首先可以消除电镀铜与溅射铜界面的孔洞，其次可以消除高温退火时形成的孔洞。由此电镀铜的方法获得电镀铜具有无孔洞，电阻小等特点。此工艺改进适于半导体、集成电路等使用电镀铜的方法制作铜引线的领域。
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公开(公告)号：CN103794513A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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公开(公告)号：CN103187324A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449963.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种焊点制备方法及其结构，该方法包括以下步骤：步骤一，在硅片(1)正面溅射金属层(2)，作为电镀种子层；步骤二，在所述金属层(2)上涂光刻胶(3)并前烘；步骤三，图形化光刻胶并后烘；步骤四，使用图形化光刻胶做掩膜，电镀铜以形成铜层，直到该铜层的厚度超过光刻胶层的厚度，并形成伞状铜柱结构（4）；步骤五，继续使用光刻胶(3)做掩膜，电镀锡以形成包裹伞状铜柱结构（4）的锡层（5）；步骤六，回流，形成包含该伞状铜柱的焊点结构。本发明提供的焊点结构具有成本低，剪切力、热机械可靠性高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465428B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310423177.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种铜‑铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti‑Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti‑Cu合金薄膜；再将所述第一圆片的第一Ti‑Cu合金薄膜表面和第二圆片的第二Ti‑Cu合金薄膜表面进行热压键合；最后在保护性气体中进行退火处理，使第一Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第一钝化层表面扩散，第二Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第二钝化层表面扩散，并最终在第一、第二钝化层表面形成Ti粘附/阻挡层，而Cu原子向键合面扩散，实现键合。本发明的方法在键合前仅需要对两个衬底分别进行一次共溅射，溅射次数减少了一半，工艺相对简单，可靠性好，且工艺成本较低，最后经过退火处理扩散形成Ti粘附/阻挡层，并使铜的键合效果更佳。
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公开(公告)号：CN103794583A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425918.1
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM之间的结合面积更大，粘附能力更强，提高了封装可靠性。本发明不需要添加制作额外的粘附材料，只需要在UBM上制作多个凹坑，增加焊球与UBM的接触面积，以提高其粘附性能。
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公开(公告)号：CN103187312A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448249.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。其中，根据基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，先将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面；随后再基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点；随后在每一个导电区域表面形成一个导电凸点，由此形成圆片级封装结构。本发明的优点包括：不需要高温固化过程，可以有效降低圆片翘曲与内应力，可以很容易实现多层重布线结构，同时该结构还允许内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104392939B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410581802.6
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。
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