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公开(公告)号：CN103199026A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006294.X
申请日：2012-01-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102593024B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210015989.4
申请日：2012-01-18
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。
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公开(公告)号：CN103066040B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110324618.X
申请日：2011-10-21
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01P3/06 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01P11/005 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102570018B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110434081.2
申请日：2011-12-21
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电材料的厚度，溅射一层种子层，电镀金，作为天线的地平面；在槽中填充介电材料，控制温度进行固化；然后打Au柱作为过孔引出地线；再涂覆一层BCB介电材料，固化后进行CMP减薄抛光，增加表面平整度，并使过孔露出；最后在BCB上光刻电镀出天线的图形。此种制作方法使天线和集成电路做在一起，减小了体积，提高了可靠性，同时减小了天线发射模块和天线之间的传输距离，减小了传输损耗。
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公开(公告)号：CN102097672A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
摘要： 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN103199026B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210006294.X
申请日：2012-01-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au‑Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au‑Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。
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公开(公告)号：CN103065985B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110324631.5
申请日：2011-10-21
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法，其特征在于在制作好晶圆正面之后，在背面先进行表面处理，先涂覆BCB的增粘剂，再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB，使用烘箱进行前烘，光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘，根据显影检测工艺确定显影时间并显影，甩干或吹干，进行显影后软烘，最后放入烘箱进行固化，等离子体处理残胶。使用穿硅通孔TSB作为双面布线的连线，形成层间互连，层间互连是由背面光敏BCB光刻显形形成锥台形通孔。所述的方法适用于高频应用，运用这种方法，可在晶圆正面制造有源或无源器件之后，直接在背面BCB介质层上集成微波无源器件，而不占用晶圆正面的面积，不影响正面器件的性能，与集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102097672B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
摘要： 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN102723306B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210219229.5
申请日：2012-06-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
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