公开(公告)号：CN114792081A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110109527.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈晓娟 ,  刘新宇 ,  丁武昌 ,  张昇 ,  李艳奎 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  金智

IPC: G06F30/373

Abstract: 本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。

公开(公告)号：CN104868207A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510194337.5

申请日：2015-04-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈晓娟 ,  袁婷婷

IPC: H01P1/203

Abstract: 本发明提出了一种无源微带电路板背金方法，包括：a.提供待背金的无源微带电路板；b.设计用于对所述无源微带电路板进行背金的版图，所述版图的图形为该无源微带电路板中隔直电容线所在的区域；c.以所述版图为掩膜，对所述无源微带电路板进行背金；其中，背金区域为该无源微带电路板中除隔直电容线所在的区域以外的其他区域。本发明通过将微带线之间的接地底板即无源基板背金部分隔断，从而有效抑制微波信号的耦合效应，避免电路中引入更多的寄生参数，最终提高宽带微波功率模块性能。

公开(公告)号：CN102542075B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201010578263.2

申请日：2010-12-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 戈勤 ,  陈晓娟 ,  刘新宇

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于AnsoftHFSS制备微波混合集成电路的方法，包括：确定源、漏阻抗：设计输入输出匹配网络的原型电路；利用AnsoftHFSS进行分段优化设计；对稳定网络的原型电路进行设计；对输入部分电路进行优化设计；将该输出网络与该输入电路仿真data导出到ADS中，与有源器件进行电气互联，判断电路是否在达到所期望的要求，包括增益和稳定性，如果是，设计完成；如果不是，再次对电路进行细调优化，直到达到要求为止。本发明在满足全频段稳定的前提下，实现了微波混合集成电路规定的工作频率、增益和输出功率，同时使微波混合集成电路具有很好的可操作性。

公开(公告)号：CN102435343B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110259249.0

申请日：2011-09-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

公开(公告)号：CN102955113A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110236600.4

申请日：2011-08-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵妙 ,  刘新宇 ,  罗卫军 ,  郑英奎 ,  陈晓娟 ,  彭铭曾 ,  李艳奎

IPC: G01R31/26 ,  G01J5/00

Abstract: 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰值结温计算得到该多个被测GaN基器件的峰值热阻；采用数学拟和得到该多个被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系；结合得到的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系，分析该多个被测GaN基器件的显微红外热像图，实现对GaN基器件热可靠性的测量。本发明实现了对GaN基HEMT器件热可靠性有效评估，对器件的结构优化和器件工艺的改进都具有重要的指导意义。

公开(公告)号：CN102479745A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010561133.8

申请日：2010-11-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 庞磊 ,  陈晓娟 ,  陈中子 ,  罗卫军 ,  袁婷婷 ,  蒲颜 ,  刘新宇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。

公开(公告)号：CN102427034A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110375079.2

申请日：2011-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。

公开(公告)号：CN102313613A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110223026.9

申请日：2011-08-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王建辉 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军

IPC: G01K11/00

Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。

公开(公告)号：CN102118133A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910312949.4

申请日：2009-12-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗卫军 ,  陈晓娟 ,  刘新宇

IPC: H03F1/56

Abstract: 本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN高电子迁移率晶体管的管芯相连，并联RC稳定网络的输入端与50Ω系统相串联，其输出端和输入匹配电路的输入端相串联。本发明具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，从而提高了器件的功率增益和输出功率。

公开(公告)号：CN101826648A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910078862.5

申请日：2009-03-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 吴旦昱 ,  陈晓娟 ,  刘新宇 ,  李滨

IPC: H01P5/107 ,  H01P5/12

Abstract: 本发明公开了一种基于波导的功率合成器，该功率合成器采用上下双层结构，由两个3dB矩形波导功分/功合模块、四个功率放大模块和八个微带探针构成，其中，两个3dB矩形波导功分/功合模块左右对称，四个功率放大模块位于两个3dB矩形波导功分/功合模块的对称平面上，且该四个功率放大模块关于两个3dB矩形波导功分/功合模块对称平面的中心对称分布，每个功率放大模块的两端分别连接一个微带探针，微带探针的另一端插入3dB矩形波导功分/功合模块与3dB矩形波导功分/功合模块耦合。所述功率合成器具有带宽大的特点，还具有损耗极低、散热好的特点，从而实现高功率、高效率的微波功率合成。