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公开(公告)号：CN102542077B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010589028.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
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公开(公告)号：CN102237339B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010162251.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/金金属构成)连通，或者与其他元件进行电气通路的连接，起镀层采用磁控溅射台溅射得到。本发明所采用的背面金属起镀层具有很好的稳定性和可靠性，与正面金属的连通性极高，可以极好地弥补盲孔刻蚀过程所引起的芯片背面的不平整性，为溅射背面起镀层的后续工艺——电镀软金传导层打下良好的基础，并且由此种背面金属起镀层所产生的附加串联电阻较小，对提高电路整体性能起到很大的作用。
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公开(公告)号：CN102830137A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210319891.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。本发明还公开了一种氮化镓基液体传感器的制备方法。本发明提供的一种氮化镓基液体传感器及其制备方法，结合AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点，研制出性能优异的液体传感器，在国家安全、环境保护、医疗卫生、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102214565B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010145299.1
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
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公开(公告)号：CN102565650A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010575278.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种Ga NHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射参数的提取相关，对器件模型的建立也很有意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543665A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010577694.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60µm的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50µm，公差小于±1µm，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。
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公开(公告)号：CN102311717A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010222586.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明公开了一种高硬度微米研磨液及其配制方法，该研磨液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、无机盐混合物、有机物PEG200、氨水、丙酸和去离子水配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～2.0％，氧化铝微粉0.2～5.0％，无机盐混合物0.2～5.0％，PEG2000.5％～10％，氨水0.01～1％，丙酸0.01～1％，去离子水78～98.5％。本发明同时公开了一种配制上述研磨液的方法。利用本发明提供的这种一种高硬度微米研磨液及其配制方法，调配出的研磨液采用高硬度微米级磨料，使用效果理想，各项机械性能指标均衡，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求。
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公开(公告)号：CN102310059A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010223347.4
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环保，能够有效应用于各种有机黏附剂的去除，减少了黏附剂残渣对材料和设备的污染，为半导体后道工艺提供了可靠的工艺手段。
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公开(公告)号：CN102214565A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010145299.1
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
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公开(公告)号：CN102074489A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910238767.7
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。
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