公开(公告)号：CN117484286A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311474239.8

申请日：2023-11-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  白云 ,  王鑫华

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/306 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提出了一种碳化硅衬底及其处理方法，可以应用于晶圆抛光技术领域。上述碳化硅衬底的处理方法包括：在碳化硅衬底具有电路的一面均匀涂覆光刻胶，得到目标碳化硅衬底；使用抛光液对目标碳化硅衬底进行研磨抛光，并利用滴定液与目标碳化硅衬底发生化学反应；以及清洗抛光处理后的目标碳化硅衬底；其中，抛光液包括研磨颗粒、有机溶剂；滴定液包括HF、H2SO4、去离子水。本发明提供的碳化硅衬底的处理方法可以实现研磨抛光和化学反应的分离，从而避免碳化硅衬底的研磨抛光和化学反应所需pH环境不兼容的问题。

公开(公告)号：CN111508838A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010046694.8

申请日：2020-01-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  黄森 ,  王鑫华 ,  王大海

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对硅衬底进行多次减薄处理，制备出预设厚度和预设厚度均匀性的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，大大降低了晶圆片结构内部的应力累积，使硅衬底和GaN外延结构由于晶格失配缺陷导致的晶圆片结构碎裂风险大大降低，提高了晶圆片结构的生产良率。并且，对多次减薄处理后的硅衬底进行抛光处理，以使表面粗糙度小于预设阈值，例如表面粗糙度Ra小于3nm，使得散热金属层电镀的致密性大大增加，散热金属层的附着力大大加强，有效改善了晶圆片结构工作时的散热能力。

公开(公告)号：CN111300260A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010101837.0

申请日：2020-02-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，包括：托盘，用于固定待加工部件，所述待加工部件包括InP基晶圆；喷头，用于向所述待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，以对所述待加工表面进行抛光；磁转子，放置在所述待加工部件的待加工表面上，用于通过旋转对所述待加工表面进行机械研磨，对所述待加工表面进行减薄。由于减薄过程中待加工部件如InP基晶圆本身不旋转，因此，可以大大降低抛光减薄过程中对待加工部件如InP基晶圆的挤压应力，大大降低待加工部件如InP基晶圆的机械加工损伤。

公开(公告)号：CN106952951A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710160773.X

申请日：2017-03-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种InP基异质结双极晶体管的制作方法。所述方法包括：使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极；腐蚀含有所述发射极电极的发射极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层；使用深紫外光源对露出的基极外延层进行光刻，形成基极电极；腐蚀含有所述基极电极的基极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层；使用深紫外光源对露出的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极。本发明使用PMMA光刻胶配合深紫外光刻，避免使用碱性试剂，因而有效地避免了碱性物质对GaAsSb的化学腐蚀，最大限度的保证了导电沟道和二维电子气的电学性能，提升了InP基GaAsSb的HBT的器件性能。

公开(公告)号：CN103500707B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310473279.0

申请日：2013-10-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。本发明有效的避免了机械减薄造成的损伤，实现了减薄抛光过程中的应力释放，实现了衬底抛光面的镜面效果，为解决InP超薄厚度的减薄抛光工艺难题提供了新的解决手段。

公开(公告)号：CN103495908A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310473512.5

申请日：2013-10-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B1/005

Abstract: 本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行磁流变减薄抛光的方法，包括：将InP基RFIC晶圆与UV膜进行键合：将InP基RFIC晶圆需要抛光的一面垂直向下浸入油基抛光液中，进行磁流变减薄抛光；对抛光后的InP基RFIC晶圆进行清洗；将InP基RFIC晶圆与UV膜进行分离。利用本发明，采用磁流变抛光方法降低了抛光过程中对InP基RFIC晶圆的挤压应力，物理损伤大大降低。在磁场作用下形成的抛光液流体粘度高，弹性好，贴合InP基RFIC晶圆紧密，避免了传统CMP工艺中由于抛光盘型变误差造成的加工精度失真，对InP基RFIC晶圆形成很好的抛光效果，整个磁流变抛光过程稳定，速度快，可控性好，重复度高，无粉尘污染，抛光最终衬底厚度达到20μm，表面Ra

公开(公告)号：CN103199014A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310068641.6

申请日：2013-03-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  苏永波 ,  金智

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明公开了一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。利用本发明，大大提高了减薄效果，实现了无污染，低损伤，高效率，镜面效果的减薄抛光衬底，解决了InP MMIC后道的工艺难题。

公开(公告)号：CN102311706B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010223346.X

申请日：2010-06-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种纳米级抛光液及其调配方法，该抛光液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、硅胶、表面活性剂、分散剂、润滑剂、化学PH值调节剂和溶剂配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～10％，氧化铝微粉0.1～5％，硅胶0.1～10％，表面活性剂0.3～10％，分散剂0.05～4％，润滑剂0.5％～1％，化学PH值调节剂0.01～1％，溶剂60～98.2％。本发明同时公开了一种配制上述抛光液的方法。利用本发明，调配出了采用纳米级金刚石和氧化铝，硅胶的混合浆液，实现了理想的抛光效果，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求，为半导体抛光工艺提供了良好的技术手段。

公开(公告)号：CN102214555B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010145284.5

申请日：2010-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: H01L21/02 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。

公开(公告)号：CN102623336A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110030283.0

申请日：2011-01-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈中子 ,  陈晓娟 ,  刘新宇 ,  罗卫军 ,  庞磊

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。