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公开(公告)号：CN114318495A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111581919.0
申请日：2021-12-22
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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公开(公告)号：CN113913939B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN115527835A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111680205.5
申请日：2021-12-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 超薄锗单晶抛光片的清洗方法，涉及锗单晶抛光片的清洗技术，特别涉及一种超薄、表面洁净度及粗糙度要求高的清洗方法。本发明超薄锗单晶抛光片使用背面粘贴UV膜进行抛光，揭膜后放置于碱液中浸泡，用高纯水枪冲洗，把晶片放入甩干机甩干，再单片浸入显影液清洗，最后用ETCH药液清洗，有效去除超薄锗单晶抛光片表面磨料颗粒沾污以及钝化晶片表面，颗粒度大于0.3μm的不超过8颗每片，清洗后表面清洁透亮，表面均匀细腻、粗糙度小于0.5nm，达到免清洗“开盒即用”的表面质量要求，很大程度提高超薄锗抛光片表面质量，为下游外延层质量的提高奠定基础。由于本操作简捷、方便操作，极大程度降低清洗操作难度，容易量产。
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公开(公告)号：CN113913939A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111065459.6
申请日：2021-09-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
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公开(公告)号：CN217231011U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202123249664.6
申请日：2021-12-22
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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公开(公告)号：CN107932760A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711394683.3
申请日：2017-12-21
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
CPC分类号： B28D5/02 , B28D5/0076 , B28D5/0082
摘要： 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本发明的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。
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公开(公告)号：CN116004332B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210078324.1
申请日：2022-01-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50‑90%、高氯酸1‑10%、EDTA‑2Na1‑5%、余量为纯水，本发明的清洗工艺，首先采用脱胶液清洗，再使用浓硫酸碳化清洗，具有晶片背面黏胶去除彻底、操作简单、生产效率高、能降低酸液对粗抛光锗晶片表面侵蚀的特点，现已实现(2‑6)英寸粗抛光锗晶片批量、高效及稳定化生产，是高端锗晶片生产过程中具有重要意义的工序。
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公开(公告)号：CN116004332A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210078324.1
申请日：2022-01-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50‑90%、高氯酸1‑10%、EDTA‑2Na1‑5%、余量为纯水，本发明的清洗工艺，首先采用脱胶液清洗，再使用浓硫酸碳化清洗，具有晶片背面黏胶去除彻底、操作简单、生产效率高、能降低酸液对粗抛光锗晶片表面侵蚀的特点，现已实现(2‑6)英寸粗抛光锗晶片批量、高效及稳定化生产，是高端锗晶片生产过程中具有重要意义的工序。
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公开(公告)号：CN207468775U
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201721587953.8
申请日：2017-11-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，涉及磷化铟单晶生长制备技术领域，尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀，单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通，所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上，靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，设计科学，结构合理，通过机械泵与单晶炉连接结构，保证了单晶炉在充入氮气前，炉内的真空度达到所需标准，能有效改善磷化铟单晶的质量，有效降低氮气充入单晶炉内时压强，以便于控制单晶炉内的压强差，防止石英管发生爆炸，进而降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN207711096U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721803530.5
申请日：2017-12-21
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本实用新型的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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