公开(公告)号：CN101506992B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780028838.X

申请日：2007-07-12

申请人： 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

发明人： 石川直挥 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  生岛聪之 ,  植栗豊敬

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/14 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。

公开(公告)号：CN101167191B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

申请人： 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

发明人： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋须重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101506992A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780028838.X

申请日：2007-07-12

申请人： 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

发明人： 石川直挥 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  生岛聪之 ,  植栗豊敬

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/14 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。

公开(公告)号：CN101167191A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

申请人： 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

发明人： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋顺重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。