公开(公告)号：CN118786513A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024040.7

申请日：2023-03-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明为一种III族氮化物半导体晶圆，其特征在于：在成膜用基板上具备III族氮化物半导体膜，并且，在前述成膜用基板的倒角部的前述基板表面的径向的截面形状，相对于前述基板表面的倒角角度(θ1)为21度以上且23度以下，且前述基板表面的径向的前述成膜用基板的外周端部与前述倒角部的内周端部之间的间隔也就是倒角宽度(X1)为500μm以上且1000μm以下。由此，提供一种III族氮化物半导体晶圆及其制造方法，其在成膜用基板上具备III族氮化物半导体膜。

公开(公告)号：CN117941030A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061885.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 一种氮化物半导体基板，其特征在于，具备生长用基板、与被成膜于该生长用基板上的氮化物半导体薄膜，前述氮化物半导体薄膜包含被形成于前述生长用基板上的AlN层、与被形成于该AlN层上的氮化物半导体层，且前述AlN层中的平均Y(钇)浓度为1E15atoms/cm3以上且5E19atoms/cm3以下。借此，可提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，该氮化物半导体基板能够改善AlN层的表面形态并抑制氮化物半导体外延晶圆表面的凹坑的产生。

公开(公告)号：CN108140582B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201680058423.6

申请日：2016-08-29

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底，其特征在于，具备：基板；缓冲层，其设置于前述基板上并且由氮化物半导体构成；以及，沟道层，其设置于前述缓冲层上并且由氮化物半导体构成；其中，前述缓冲层包含：第一区域，其设置于前述基板侧，所述第一区域的硼浓度比受体元素浓度更高；以及，第二区域，其设置于前述第一区域上，所述第二区域的硼浓度比前述第一区域的硼浓度更低，并且所述第二区域的受体元素浓度比前述第一区域的受体元素浓度更高。由此，提供一种半导体衬底，其能够维持高的纵向耐压并且得到高的凹坑抑制效果。

公开(公告)号：CN107073682B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201580057427.8

申请日：2015-10-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 佐藤三千登 ,  金井洋介

IPC: B24B37/34 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种平台搬运台车，其用以搬运从研磨装置卸除的平台、或要安装至前述研磨装置上的前述平台，所述平台搬运台车的特征在于，具备：平台保持部，用以保持前述平台；支持台，从下侧来支持该平台保持部；升降机构，实行前述平台保持部的升降；以及，倾斜机构，使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜；并且，能够在利用前述倾斜机构来使保持有前述平台的前述平台保持部倾斜的状态下，搬运前述平台。由此，提供一种平台搬运台车，其能够缩小搬运平台时所需的宽度，因而能够缩小用以搬运平台的通路的宽度。

公开(公告)号：CN106457508B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。

公开(公告)号：CN104541359B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380025249.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  后藤博一 ,  鹿内洋志 ,  土屋庆太郎 ,  篠宫胜 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。

公开(公告)号：CN107921605A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047958.3

申请日：2016-08-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薫 ,  金井洋介 ,  中西勇矢

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/12 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/107 ,  B24B37/00 ,  B24B37/12 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  Y02P70/177

Abstract: 本发明的研磨装置具备：平台，贴附有研磨布；研磨头，用以保持晶圆；槽体，用以储藏研磨剂；研磨剂供给机构，将储藏在槽体内的研磨剂供给至研磨布；废液承接器，回收自平台上流下的研磨剂；以及循环机构，被连接至废液承接器，将利用废液承接器所回收的研磨剂供给至槽体内；并且，利用研磨剂供给机构来将研磨剂自槽体内供给至研磨布，并利用废液承接器来回收自平台上流下的已使用后的研磨剂，并且将已回收后的研磨剂供给至槽体内，由此，一边使研磨剂循环，一边使利用研磨头所保持的晶圆的表面与研磨布作滑动接触来进行研磨；其中，所述研磨装置的特征在于，废液承接器被固定在平台上。由此，提供一种研磨装置，当回收再利用的研磨剂时，其能抑制与其他溶液的混合而抑制回收效率的恶化，而且维修也容易。

公开(公告)号：CN104272447B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201380023869.1

申请日：2013-04-15

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 相良和広

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N3/02 ,  G01N3/42 ,  G01N2033/0078 ,  G01N2033/0095 ,  G01N2203/006 ,  G01N2203/0067 ,  G01N2203/0282 ,  G01N2203/04 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的评价方法，其是评价半导体晶片的凹口部的破坏强度的方法，所述半导体晶片的评价方法，利用朝向晶片中心，对前述要评价的半导体晶片的凹口部施加荷重来破坏前述半导体晶片的凹口部，以评价该凹口部的破坏强度。由此，提供一种半导体晶片的评价方法及半导体晶片的评价装置，于半导体晶片的凹口部的破坏强度的评价中，可更高精度、高灵敏度地进行评价。

公开(公告)号：CN103370451B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280007837.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 岩崎淳 ,  园川将 ,  竹安志信

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。

公开(公告)号：CN103210475B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180054726.8

申请日：2011-11-10

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 大西理

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/68735 ,  Y10T117/00 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种衬托器，其可以通过增大衬托器的厚度，来增大衬托器外周部的热容，使晶片外周部与内周部的热条件相等；进一步，提供一种外延晶片的制造方法，其是使用所述衬托器，来进行外延层的气相生长。本发明人根据至目前为止的实验结果和经验，推测背面沉积与晶片和衬托器之间所产生的热传递存在密切的关系，即推测由于晶片与衬托器接触、或晶片与衬托器靠近，因此，晶片外周部的温度高于晶片内周部，而导致容易产生背面沉积；并尝试通过使晶片背面的晶片外周部与内周部的热条件固定，来解决问题。