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公开(公告)号：CN1304461A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800858.2
申请日：2000-03-02
申请人： 直江津电子工业株式会社 , 信越半导体株式会社
CPC分类号： H01L21/30604 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。
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公开(公告)号：CN1247833C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN00800858.2
申请日：2000-03-02
申请人： 直江津电子工业株式会社 , 信越半导体株式会社
CPC分类号： H01L21/30604 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式，能有效地降低全制程所需时间，对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升，进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外，于进行化学蚀刻处理时，由于能将蚀刻量确保在60μm以上，因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此，能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%，而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。
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公开(公告)号：CN1230767A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN98115549.9
申请日：1998-06-30
申请人： 直江津电子工业株式会社
发明人： 佐藤勉
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/304
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , Y10S438/918 , Y10S438/923 , Y10S438/977
摘要： 本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象,可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方案是在制造平均位错密度在5000个/厘米2以下时的低位错密度的分立基板时,在一定范围内调整扩散前的原料晶片厚度并实施扩散。
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公开(公告)号：CN103490045A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310234172.0
申请日：2013-06-13
申请人： 信越化学工业株式会社 , 直江津电子工业株式会社
IPC分类号： H01M4/36 , H01M10/0525
摘要： 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法，该非水电解质二次电池用负极材料包含硅-碳复合材料，并且，该制造方法包含：准备硅纳米粒子的工序；制作包含前述硅纳米粒子与含碳材料的硅-碳复合材料的工序；及，将前述硅-碳复合材料加热压缩处理的工序。本发明提供一种容量高且初次充放电效率及循环特性优异的非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法、以及使用此非水电解质二次电池用负极材料的非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN101167191B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
申请人： 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101167191A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013998.2
申请日：2006-04-11
申请人： 信越半导体股份有限公司 , 直江津电子工业株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1152415C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN98115549.9
申请日：1998-06-30
申请人： 直江津电子工业株式会社
发明人： 佐藤勉
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/322
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , Y10S438/918 , Y10S438/923 , Y10S438/977
摘要： 本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象，可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方法是在制造平均位错密度在5000个/厘米2以下时的低位错密度的分立基板时，在一定范围内调整扩散前的原料晶片厚度并实施扩散。
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