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公开(公告)号：CN111524796A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010238731.5
申请日：2020-03-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/265 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
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公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
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公开(公告)号：CN110146799A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910353351.3
申请日：2019-04-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法，测试装置包括相互连接的半导体器件参数测试装置和红外热成像装置；半导体器件参数测试装置用于：放置待测芯片，并给待测芯片施加反向电压；红外热成像装置包括红外热成像仪和显示设备，红外热成像仪穿过半导体器件参数测试装置且位于所述待测芯片上方；显示设备与红外热成像仪连接，用于观测测试结果，确定芯片表面漏电位置。基于半导体芯片漏电位置测试装置的方法，是将待测芯片放置于半导体器件参数测试装置上，并开启红外热成像装置；给待测芯片施加反向电压，实时观察待测芯片表面热分布；根据待测芯片表面热分布，确定芯片表面漏电位置。
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公开(公告)号：CN114646817A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011514735.8
申请日：2020-12-21
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司德州供电公司
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明涉及一种半导体‑氧化物界面电荷测量仪及其测量方法，所述测量仪包括：光源(1)、探针测试装置(2)和测量组件(3)；所述光源(1)，用于照射待测芯片；所述探针测试装置(2)，用于承载待测芯片，并通过探针测试装置(2)实现待测芯片与测量组件(3)的连接；所述测量组件(3)，与探针测试装置(2)连接，用于测量待测芯片的电容‑电压曲线，还用于根据所述电容‑电压曲线计算待测芯片的半导体‑氧化物深能级界面电荷密度。本发明提供的技术方案提高了半导体‑氧化物界面电荷测量的准确性，进而可以更加精确的对工艺质量进行分析。
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公开(公告)号：CN113325296A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110533394.7
申请日：2021-05-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种大功率晶圆芯片测试的智能报警处理方法和系统，包括：探针台检测端控制探针台在晶圆芯片的测试区内进行测试；当探针台检测端识别出测试控制端进行限流报警时，探针台检测端将自身监控的探针台上当前晶圆测试图中已测试过的区域标为“不测区”，并控制拍照截图系统对探针台晶圆芯片进行拍照储存。当测试控制端执行限流报警后,测试控制端关闭限流报警弹窗；当达到启动条件时，测试控制端继续启动探针台的晶圆芯片测试程序。本发明解决了目前高压芯片晶圆自动化测试过程中因芯片打火而过流保护报警时必须人为干预后才能继续测试的问题，大幅降低了人工工作的强度和时长，提升高压电力电子芯片晶圆的自动测试效率。
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公开(公告)号：CN112222016A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010825153.5
申请日：2020-08-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明提供了一种高压电力电子芯片的自动分选装置，包括：控制系统(12)、承载盘(15)、绝缘液体供给装置和绝缘液清理组件，所述绝缘液体供给装置位于承载盘(15)上部空间，绝缘液清理组件靠近承载盘(15)布置，所述控制系统(12)分别与承载盘(15)、绝缘液体供给装置、绝缘液清理组件连接，所述控制系统(12)用于控制绝缘液体供给装置向承载盘(15)吸附的待测芯片(16)上滴液态绝缘介质，还用于在测试完成后控制绝缘液清理组件去除待测芯片(16)上的液态绝缘介质；本发明通过制造检测前对芯片滴加液态绝缘介质和检测后对液态绝缘介质清理的设备，有效的保护了芯片在检测时不受打火的损坏以及检测后将液态绝缘介质清理干净进行分类。
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公开(公告)号：CN111681943A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010344980.2
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。
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公开(公告)号：CN114152567A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010933546.8
申请日：2020-09-08
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： G01N21/01
摘要： 本发明涉及一种显微镜用测试夹具及测试方法，设置于显微镜舱室内，包括：多个夹口，每个夹口上均设有调节装置，各夹口根据不同待测样品截面的大小，具有不同的尺寸和深度，调节装置用于将设置于所述各夹口中的待测样品进行固定，所述方法包括：将待测样品，基于待测样品的截面大小，从测试夹具中选择尺寸和深度对应的夹口，利用调节装置固定待测样品，将测试夹具及待测样品置于显微镜舱室内进行观测，通过在测试夹具上设置多个不同尺寸和深度夹口，有效解决了小样品本身较薄、较小，不容易固定，进而造成观测困难及不准确的技术问题，另外，如果有多个不同尺寸的待测样品，可同时放入测试夹具上的夹口中进行观测，提高了观测效率。
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公开(公告)号：CN110231501A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910048374.3
申请日：2019-01-18
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN110231501B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910048374.3
申请日：2019-01-18
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。
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