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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN113889537B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111482363.X
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN113889537A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482363.X
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN112582526A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN111710627A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN111710627B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010469555.6
申请日：2020-05-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片封装预处理方法及芯片分析方法，属于集成电路技术领域。所述预处理方法包括：探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；腐蚀所述多芯片封装；剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。本发明用于FIB预处理。
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公开(公告)号：CN112582526B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H10N10/851 , H10N10/01
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN113607511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片待分析样品，可以增大功率芯片截面的染色面积，增强芯片截面的染色效果，有利于功率芯片结构的准确判断。
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公开(公告)号：CN113607511B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片
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