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公开(公告)号：CN112531068A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410152.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。该雪崩光电二极管具有光利用率高，带宽高，灵敏度高、传输距离长的优点。
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公开(公告)号：CN114036816A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111574701.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F30/25 , G06N3/12 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种光栅设计方法、光栅及探测器集成结构，其中方法包括：获取设计参数；将所述设计参数输入至光栅设计模型，获取所述光栅设计模型输出的光栅结构，其中，所述光栅设计模型是基于台阶式粒子群算法构建的。本发明提供一种亚波长光栅，采用上述光栅设计方法得到。本发明提供一种探测器集成结构，包括探测器和光栅，所述探测器和所述光栅单片集成，所述光栅是上述光栅设计方法得到的。本发明提供的光栅设计方法基于台阶式粒子群算法，通过电场场强调节对光栅结构进行设计，实现了对具有汇聚增强功能的非周期亚波长光栅进行设计。本发明提供的亚波长光栅具有汇聚增强功能。
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公开(公告)号：CN103367370B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN101958753B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200910160632.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较，以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器，同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。
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公开(公告)号：CN118311826A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410439238.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法，涉及集成光学和硅基光子学技术领域，该方法包括：对硅衬底进行预处理；采用电子束曝光工艺，在所述预处理后的硅衬底上加工出硬质微纳光栅图形，形成硅基纳米压印模板；利用所述硅基纳米压印模板和预设配比的PDMS硅胶混合液，制备PDMS柔性器件；所述PDMS柔性器件的表面印有与所述硬质光栅图形互补的微纳光栅图形。通过电子束曝光和PDMS硅胶制备工艺的结合，使得PDMS柔性器件上制备出特征尺寸达到百纳米量级，加工精度提升，同时这种转印技术有利于大规模量产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223955B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN111223955A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN102054772A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910207134.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，包括如下工艺步骤：经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F-P谐振腔；通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成。本发明解决了可重构光分插复用器件对具有多波长处理功能的单片集成光探测器件的需求问题，并广泛用于光通信及光信号处理等领域，对今后光电子器件的集成化产生重要的影响。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN103367370A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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