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公开(公告)号:CN110544732B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910807033.X
申请日:2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管,该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺,获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低,因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容,减小了RC时间常数,由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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公开(公告)号:CN111223955B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201911050883.6
申请日:2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域,提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器,包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层,多个外延层包括吸收层,沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔;至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料,用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器,通过设置若干锥形孔,减小了吸收层中有源区的面积,降低了充电时间常数,提高了光探测器的响应速率;另外,形成的强耦合波导结构,可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层,并在吸收层中横向传输,增加了光程,提高了量子效率。
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公开(公告)号:CN111223955A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201911050883.6
申请日:2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域,提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器,包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层,多个外延层包括吸收层,沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔;至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料,用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器,通过设置若干锥形孔,减小了吸收层中有源区的面积,降低了充电时间常数,提高了光探测器的响应速率;另外,形成的强耦合波导结构,可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层,并在吸收层中横向传输,增加了光程,提高了量子效率。
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公开(公告)号:CN110544732A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201910807033.X
申请日:2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管,该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺,获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低,因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容,减小了RC时间常数,由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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