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公开(公告)号：CN107574414A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710688343.5
申请日：2017-08-12
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
摘要： 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装，包括掩埋工装与蒸发工装，掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块，成型件能够与承载底座形成配合，成型件中心设有成型孔；元器件承载柱能够与成型孔形成配合，元器件承载柱顶面用于放置管状元器件，元器件承载柱放入成型孔后，元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔；通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片，蒸发工装对饼片进行固定，再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化；NaCl价格低廉，且容易与管状元器件制成饼片，金属化结束后只需将NaCl溶解，即可取出管状元器件；本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化，提高了效率。
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公开(公告)号：CN107794499B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710830231.9
申请日：2017-09-15
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明公开一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置，包括正调节固定板、负调节固定板、正电极延长柱与负电极延长柱，正调节固定板及负调节固定板分别水平连接于正蒸镀电极及负蒸镀电极顶部；正电极延长柱及负电极延长柱分别通过固定孔竖直固定于正调节固定板及负调节固定板；正电极延长柱及负电极延长柱顶部分别螺纹连接有固定套筒，固定套筒侧壁设有水平的开口槽,两个固定套筒的开口槽相对设置，蒸发舟两端分别插入两个开口槽形成配合；两个固定套筒上部分别设有锁紧螺栓，使蒸发舟两端分别夹紧固定于相对应的锁紧螺栓与电极延长柱之间；通过电极延长柱使蒸发舟的安装位置升高，从而缩短了蒸发源和基片的距离，能够提高沉积速率。
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公开(公告)号：CN108385154B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201810120521.9
申请日：2018-02-07
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： C25D17/12
摘要： 本发明公开一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置，包括装载罩壳与装载托盘，装载罩壳呈圆锥台状，装载罩壳顶面设有导电片、底边设有导电环；装载罩壳壳壁设有电镀液通孔阵列，装载罩壳壳壁还内嵌有一组金属引线,金属引线顶端与导电片相连、底端与导电环相连；装载托盘与装载罩壳底部螺纹配合连接，形成容纳金属热沉元件的装载腔，装载托盘设有一组电镀液穿流孔；导电片中心设有螺孔，装载罩壳顶部设有与螺孔同心的安装孔，安装孔内穿设有导电柱，导电柱用于和电镀设备阴极接口螺纹连接；本装置无需对金属热沉元件夹持，电镀液流进流出装载腔实现电镀；结构简单、安装方便、稳定性好，且电镀均匀性高，满足金属热沉元件的电镀要求。
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公开(公告)号：CN109256441A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811099655.3
申请日：2018-09-20
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/113
摘要： 本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），在氮化硅膜层（3）上生成有第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10），且在第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10）上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比，且在刻蚀的过程中，减少了氮化硅膜层的损失，最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性，改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失，制作出结构完整的多层多晶硅栅结构。
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公开(公告)号：CN109256441B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811099655.3
申请日：2018-09-20
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/113
摘要： 本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），在氮化硅膜层（3）上生成有第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10），且在第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10）上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比，且在刻蚀的过程中，减少了氮化硅膜层的损失，最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性，改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失，制作出结构完整的多层多晶硅栅结构。
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公开(公告)号：CN107574414B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710688343.5
申请日：2017-08-12
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
摘要： 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装，包括掩埋工装与蒸发工装，掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块，成型件能够与承载底座形成配合，成型件中心设有成型孔；元器件承载柱能够与成型孔形成配合，元器件承载柱顶面用于放置管状元器件，元器件承载柱放入成型孔后，元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔；通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片，蒸发工装对饼片进行固定，再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化；NaCl价格低廉，且容易与管状元器件制成饼片，金属化结束后只需将NaCl溶解，即可取出管状元器件；本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化，提高了效率。
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公开(公告)号：CN107968088A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710961724.6
申请日：2017-10-17
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/77 , H01L27/0266
摘要： 本发明公开一种双向抗静电保护电路版图结构，包括N型衬底、阻挡层，Pwell区、N场区、N扩散区、P+区、二极管N+区、多晶硅电阻区、Vin区、Vout区以及VGND区，Vin区与多晶硅电阻区间隔设置，Vin区与N场区之间设有第一介质层；VGND区下方的N型衬底注入有N+接触区，VGND区与N+接触区之间设有第二介质层；二极管N+区上方设有环形的第三介质层；Vin区、多晶硅电阻区、Vout区、二极管N+区、VGND区均通过金属线条互连构成双向抗静电保护电路；本发明版图结构的制备方法通过生长阻挡层、离子注入、炉管退火、场氧化、制备多晶硅电阻、刻蚀、介质层生长、金属蒸发等步骤实现；该版图结构能够提高保护电路的抗静电效果，无需另外制备独立电路,并且兼容MOS制备工艺。
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公开(公告)号：CN107794499A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710830231.9
申请日：2017-09-15
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明公开一种高沉积速率蒸镀的蒸发舟调节固定装置，包括正调节固定板、负调节固定板、正电极延长柱与负电极延长柱，正调节固定板及负调节固定板分别水平连接于正蒸镀电极及负蒸镀电极顶部；正电极延长柱及负电极延长柱分别通过固定孔竖直固定于正调节固定板及负调节固定板；正电极延长柱及负电极延长柱顶部分别螺纹连接有固定套筒，固定套筒侧壁设有水平的开口槽,两个固定套筒的开口槽相对设置，蒸发舟两端分别插入两个开口槽形成配合；两个固定套筒上部分别设有锁紧螺栓，使蒸发舟两端分别夹紧固定于相对应的锁紧螺栓与电极延长柱之间；通过电极延长柱使蒸发舟的安装位置升高，从而缩短了蒸发源和基片的距离，能够提高沉积速率。
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公开(公告)号：CN108385154A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810120521.9
申请日：2018-02-07
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： C25D17/12
CPC分类号： C25D17/12
摘要： 本发明公开一种批量电镀金属热沉元件的阴极装置，包括装载罩壳与装载托盘，装载罩壳呈圆锥台状，装载罩壳顶面设有导电片、底边设有导电环；装载罩壳壳壁设有电镀液通孔阵列，装载罩壳壳壁还内嵌有一组金属引线,金属引线顶端与导电片相连、底端与导电环相连；装载托盘与装载罩壳底部螺纹配合连接，形成容纳金属热沉元件的装载腔，装载托盘设有一组电镀液穿流孔；导电片中心设有螺孔，装载罩壳顶部设有与螺孔同心的安装孔，安装孔内穿设有导电柱，导电柱用于和电镀设备阴极接口螺纹连接；本装置无需对金属热沉元件夹持，电镀液流进流出装载腔实现电镀；结构简单、安装方便、稳定性好，且电镀均匀性高，满足金属热沉元件的电镀要求。
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公开(公告)号：CN106847852A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710186796.8
申请日：2017-03-27
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L27/148
摘要： 本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。
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