公开(公告)号：CN116438571A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180073856.X

申请日：2021-10-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T·柯布 ,  A·巴克斯鲍姆 ,  E·福卡 ,  J·T·纽曼 ,  A·阿维沙伊 ,  D·科洛奇科夫

IPC: G06T7/38

Abstract: 本发明涉及将对准信息从第一组图像转移到第二组图像。获得第一成像模式下的第一组横截面图像，第一横截面图像是在时间Tai拍摄的。获得第二成像模式下的第二组横截面图像，第二横截面图像是在时间Tbj拍摄的，时间Tbj不同于时间Tai。获得第一和第二组横截面图像包括随后去除样品的横截面表面层，并且在第一成像模式或第二成像模式下对样品的新横截面进行成像。在获得第一和第二组横截面图像期间，在第一成像模式和第二成像模式之间进行切换。将对准信息从第一组横截面图像转移到第二组横截面图像，其中转移对准信息包括对准信息的时间相关插值。

公开(公告)号：CN118435126A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084380.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D·克洛奇科夫 ,  J·T·纽曼 ,  T·科布 ,  E·福卡 ,  A·阿维沙伊 ,  A·巴克斯鲍姆

IPC: G03F7/20 ,  G06T7/00 ,  H01J37/22

Abstract: 提供了一种对具有提高产率的半导体晶片进行体积检测的系统和方法。该系统和方法被配置成用于对检测体积中的适当横截面表面的减少的数量或面积进行磨削和成像，并从该横截面表面图像确定3D对象的检测参数。该方法和装置可以用于半导体晶片内集成电路的定量计量、缺陷探测、制程监控、缺陷再检测和检测。

公开(公告)号：CN119998833A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380069923.X

申请日：2023-09-06

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： A·斯里坎塔 ,  A·阿尔佩罗维奇 ,  B·巴兹 ,  N·梅文坎普 ,  J·T·纽曼 ,  E·福卡 ,  J·珀施

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/30 ,  G06V10/40 ,  G06V10/52 ,  G06V10/77 ,  G06V10/772 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0455

Abstract: 一种用于检测缺陷的计算机实施方法(82)，其包括：获取晶片(24)的成像数据集(28)；在晶片(24)的成像数据集(28)的子集合中验证缺陷标准，缺陷标准包括：成像数据集(28)的子集合的观测表征(88)，其有关于从半导体结构的参考图像(66)推导出的多个特性元素(90)，其中观测表征和特性元素(90)定义最小重建误差的重建，以及关于晶片(24)的无缺陷观测成像数据集(30)的子集合的无缺陷表征(94)的容差统计(92)，其中无缺陷表征和特性元素(90)中的每一者定义无缺陷成像数据集(30)的子集合的最小重建误差的重建；生成缺陷信息。

公开(公告)号：CN119301726A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043601.8

申请日：2023-05-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： A·布克斯鲍姆 ,  R·皮丘马尼 ,  D·科洛奇科夫 ,  E·福卡 ,  T·科布 ,  J·T·纽曼

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/305

Abstract: 一种获得晶片的测量部位的一序列相互平行的多个剖面图像的方法，该方法包括以下步骤：1a)以一重合配置提供聚焦离子束(FIB)柱和带电粒子束(CPB)成像柱，在该重合配置中，该FIB柱的FIB光轴和该CPB成像柱的CPB光轴在晶片表面重合，并且该FIB光轴和该CPB光轴之间形成配置角度GFE；1b)在该重合配置中，使用该FIB柱去除该晶片的测量部位的剖面表面层，以形成可用于成像的新剖面；1c)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上缩短该CPB成像柱与该晶片表面之间的工作距离；1d)在缩短的该工作距离处且因此不在该重合配置中，以该CPB成像柱对该晶片的该测量部位处的该新剖面进行成像；1e)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上增加该CPB成像柱与该晶片表面之间的该工作距离，直到达成该重合配置。

公开(公告)号：CN118451371A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280084390.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D·克洛奇科夫 ,  E·福卡 ,  J·T·纽曼 ,  T·科布 ,  A·巴克斯鲍姆 ,  A·阿维沙伊 ,  C·黄

IPC: G03F7/20 ,  G01N1/28 ,  G06T7/00 ,  H01J37/22 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了一种具有提高的吞吐量的用于半导体晶圆的体积检查的系统和方法。该系统和方法被配置用于检查体积中的合适的横截表面的减小的数量和区域铣削和成像，并且从多个横截表面图像确定3D对象的检查参数。该方法和装置可被用于定量测量、缺陷检测、过程监控、缺陷审查和半导体晶圆内集成电路的检查。

公开(公告)号：CN116960014A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310457823.6

申请日：2023-04-25

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H·M·史蒂潘 ,  T·柯布 ,  E·福卡 ,  A·布克斯鲍姆 ,  D·克洛赫科夫 ,  J·T·纽曼

IPC: H01L21/66 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04

Abstract: 可以例如在在线质量检查中研究半导体结构。X射线散射测量，例如CD‑SAXS，可以用于晶片计量。可以基于使用双光束装置的图像切片层析成像测量来配置该X射线散射测量，该双光束装置例如包括聚焦离子束装置和扫描电子显微镜。