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公开(公告)号：CN114509163B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210011149.4
申请日：2022-01-06
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列，所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先，利用水热法合成ZnO纳米棒；然后，通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜；接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列；最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构，进而构造了光电探测器。
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公开(公告)号：CN116555901A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310510507.0
申请日：2023-05-08
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用，所述大面积铋氧硒薄膜的尺寸至少能够达到2×2cm，是由大量的平均尺寸为1‑2μm的二维单晶纳米片组成。所述大面积铋氧硒薄膜具有较好的均匀性，厚度约为100μm。基于所制备的大面积铋氧硒薄膜设计了宽光谱光电探测器，其能够实现从紫外、可见到红外波段的多波段探测，并且具有高的响应度以及快的响应速度。该器件在无任何封装的情况下在空气中储存一年后仍具有出色的循环稳定性和空气稳定性。本发明由大量二维单晶纳米片组成的大面积铋氧硒薄膜，并基于其构建了超稳定、高性能的宽光谱成像探测器，该器件可以在复杂系统中长时间稳定运行。
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公开(公告)号：CN116253357A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310069627.1
申请日：2023-02-07
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C01G29/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/0392 , G01J1/42
摘要： 一种自支撑硫化铋纤维膜的制备方法及其在柔性宽光谱光电探测器中的应用，所述自支撑Bi2S3纤维膜是在未使用任何模板及有机物的条件下，通过简单的一步水热法制备的。所述自支撑Bi2S3纤维膜是由长度可达毫米级别且纵横比大于1000的超长一维纳米线相互交织自组装而成的，其尺寸至少能够达到约7厘米×2.5厘米。更重要的是，所述自支撑Bi2S3纤维膜具有极好的柔性和可塑造性，能够随意弯曲并可裁剪成任意形状。基于所制备的自支撑Bi2S3纤维膜构造了柔性宽光谱光电探测器，其在平坦和弯曲状态下均能够实现从紫外、可见到红外波段的宽光谱探测，并且具有高的响应度，快的响应速度以及优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN113758562A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111051892.4
申请日：2021-09-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成，所述方法为：利用室温溶液法合成Se纳米线；将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源，获得Se@Cu2Se纳米结构；通过退火处理得到Cu3Se2纳米管；室温下，通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片，制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料；制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料，并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件，成本低、易操作、无污染，适用于大规模生产，具有很高的应用价值和前景。
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公开(公告)号：CN114509163A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210011149.4
申请日：2022-01-06
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列，所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先，利用水热法合成ZnO纳米棒；然后，通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜；接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列；最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构，进而构造了光电探测器。
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公开(公告)号：CN113921286A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111152229.3
申请日：2021-09-29
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01G9/20
摘要： 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法，所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构，在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中，ZnO为二维纳米片结构，均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极，通过热封膜将其与对电极连接，并在中间注入聚硫电解质或去离子水，分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料，并基于其分别制备了高性能的光电探测器，拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。
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公开(公告)号：CN115020518B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210658377.0
申请日：2022-06-10
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/108 , H01L31/18 , C01G29/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y15/00
摘要： 一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法，所述Bi2O2S具有由二维纳米片自组装而成的三维花状分层结构，所述Bi2O2S微米花阵列是通过大面积生长在导电衬底上制得，所述光电探测器是以制备的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花作为探测材料，分别设计了自供能红外探测器和柔性红外探测器。本发明所制备的Bi2O2S光电探测器能够实现对红外光的快速探测，并且展示出了优异的循环稳定性。本发明主要利用简便、易操作的水热法合成了具有独特分层结构的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花，并首次实现了Bi2O2S微米花阵列或Bi2O2S纳米花在光电探测器上的应用，为光电领域提供了一种新的可选择的红外光电探测材料。
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公开(公告)号：CN115985691A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211678476.1
申请日：2022-12-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01G9/20
摘要： 一种基于氧化铋/ZnO异质结的自驱动紫外探测器及其制备方法，属于半导体探测材料及其制备技术领域。所述紫外探测器的探测材料为Bi2O3薄膜/ZnO纳米棒阵列异质结，所述ZnO纳米棒阵列垂直于Bi2O3薄膜生长，基于其制备了光电化学型和结构简单的异质结自驱动探测器。此外，通过磁控溅射技术沉积的Bi2O3薄膜作为异质结的一部分，同时又将其作为导电电极，制备了结构更为简单的自驱动紫外探测器。所制备探测器均可在室温下对紫外光实现有效探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明采用的方法具有工艺简单、成本低廉和环境友好等优点，且适合大规模工业化生产，在光电领域中具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114758896A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210395407.3
申请日：2022-04-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种三维钠铋硫花状微球结构的制备方法及其在宽光谱光电探测器中的应用，所述NaBiS2是由许多个二维NaBiS2纳米片组装而成的花状微球分层结构，每个二维NaBiS2纳米片都是由大量的薄片相互规则交织形成。以制备的NaBiS2花状微球作为主体材料，构造了光电探测器。本发明所制备的NaBiS2花状微球探测器能够实现从紫外、可见到红外波段的宽光谱探测，并且在零偏压条件下即可工作。本发明合成了一种具有独特三维分层结构的NaBiS2花状微球，并基于其制备了高灵敏度的自供能宽光谱光电探测器，拓展了NaBiS2材料在光电探测领域的应用。
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公开(公告)号：CN113758562B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111051892.4
申请日：2021-09-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成，所述方法为：利用室温溶液法合成Se纳米线；将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源，获得Se@Cu2Se纳米结构；通过退火处理得到Cu3Se2纳米管；室温下，通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片，制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料；制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料，并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件，成本低、易操作、无污染，适用于大规模生产，具有很高的应用价值和前景。
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