公开(公告)号：CN111943683A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010817985.2

申请日：2020-08-14

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  李正闯 ,  李平齐

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种氮化硅导电陶瓷及其制备方法，该氮化硅导电陶瓷由以下质量百分比的原料制备而成，包括氮化硅陶瓷粉体65-90%、氧化镁2-6%、氧化钇1-5%、碳化钛0.5-3%、氮化钛5-10%、高纯碳1-10%、高纯氧化硼4-10%。该氮化硅导电陶瓷以氮化硅陶瓷粉体为基体原料，再与其它助剂进行复配，通过脱脂脱胶、烧结的步骤制备成具有良好导电性能的氮化硅陶瓷材料，该材料在保持了陶瓷固有的优良性能的基础上，便于对其采用放电方法进行加工，降低加工难度，提高加工效率。本发明所述制备方法简单，原料易得，赋予氮化硅陶瓷优良的导电性能，扩大了氮化硅陶瓷的使用范围，因此，本发明所述制备方法具有重要的意义。

公开(公告)号：CN106747473B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710048636.7

申请日：2017-01-23

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  李正闯 ,  于娜 ,  倪赫隆

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14

摘要： 本发明涉及一种制作氮化硅陶瓷微珠的生产工艺，属于粉体研磨领域。其特征在于：陶瓷原料的制备按照质量百分比，由如下组分组成：β‑Si3N4为70—90%，AL2O3为5—12%，Y2O3为0.1—5%，TiN为0.1—8%，粘合剂PVA4.8—5%；在同一个转盘中将粘合剂PVA注入陶瓷原料，利用粘合剂PVA在陶瓷原料中成球并固化，直接成型致密的粒径在0.1—3mm的坯珠；对填入海绵中的坯珠进行冷等静压；将冷等静压后的坯珠置于脱胶炉中完成脱胶工序；氮气气氛置于坩埚中烧结，生产陶瓷微珠坯球；将所得陶瓷微珠坯球进行研磨和抛光生产陶瓷微珠。

公开(公告)号：CN106747458B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710048635.2

申请日：2017-01-23

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  李正闯 ,  于娜 ,  倪赫隆

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  C04B35/632 ,  B28B3/00 ,  B24B29/00 ,  B24B31/00 ,  C09K3/14

摘要： 本发明涉及一种制作碳化硅陶瓷微珠的生产工艺，属于粉体研磨领域。陶瓷原料的制备按照质量百分比，由如下组分组成：α‑SiC粉75%‑90%,SiO２3%‑7%,Al2O35%‑7%，TiN0.1%‑3%，酚醛树脂0.5%‑1%，HT树脂0.4%‑5%，油酸0.1%‑1%,B4C0.9%‑1%；在同一个转盘中将粘合剂PVA注入陶瓷原料，利用粘合剂PVA在介质中成球并固化，直接成型致密的粒径在0.1—2mm的坯珠；对填入海绵中的坯珠进行冷等静压，时间2‑10分钟；将冷等静压后的坯珠置于脱胶炉中完成脱胶工序；真空高温烧结炉中，将所得坯珠置于坩埚中进行烧结，生产陶瓷微珠坯球；将所得陶瓷微珠坯球进行研磨和抛光生产陶瓷微珠。

公开(公告)号：CN112661519A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202110118392.1

申请日：2021-01-28

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 邹文革 ,  邹婉如 ,  李正闯

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B35/634 ,  C04B35/632

摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷桩的生产技术，包括氮化硅87‑92%；氧化锌0.2‑0.8%；氧化镁0.1‑0.5%；氧化铝0.2‑1%；羟基磷灰石0.1‑0.3%；分散剂0.3‑0.8%；交联剂0.1‑0.5%；引发剂0.2‑0.5%；氮化硅、氧化锌、氧化镁、氧化铝、羟基磷灰石、分散剂、交联剂、引发剂，加入去离子水溶剂，在砂磨机中研磨至D50‑0.9um并混合均匀制成配方粉；料浆的制作：将配方粉加入到高温搅拌机中，依次加入PVB或PVA，石蜡、硬脂酸、流平剂等研磨成料浆；成型技术：将上述料浆采用热压铸成型法，制备出喂料——模具——热压铸成型；脱胶脱脂：按照5℃/min的升温速率，在脱胶炉中烧结至260℃‑‑320℃保温2—3h；再按照10℃/min的升温速率，在脱胶炉中烧结至320℃‑‑830℃保温1—3h；本发明具有耐人口腔唾液腐蚀性能强和适合性较高的优点。

公开(公告)号：CN106631042B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710048624.4

申请日：2017-01-23

申请人： 威海圆环先进陶瓷股份有限公司

发明人： 于利学 ,  李正闯 ,  于娜 ,  倪赫隆

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及一种制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺，属于电子元器件制备领域。其特征在于包括以下几个步骤：在氮化硅粉中按比例加入烧结助剂，搅拌均匀得到粉体；在得到的粉体中按比例加入有机溶剂后，经研磨混料，制成混合均匀的浆料；所述浆料pH值为9‑10，在行星球磨机中，混磨22h后出料，将其在‑0.09Pa条件下真空搅拌除气约1h，得到固体积含量56%‑58%、流速小于30s、8h内不发生沉降的水基陶瓷料浆；将所述水基陶瓷料浆通过喷凝制成陶瓷坯带，并烘干成固体坯带，将坯带裁制成坯片；将坯片送入烧结炉内烧结、冷却后得到氮化硅陶瓷基板生坯；将所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨机中进行0.5微米的氮化硅干粉研磨和抛光。