公开(公告)号：CN101901828A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010213215.3

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

公开(公告)号：CN102037553A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980116548.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 浦野裕一 ,  风间健一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 将待处理衬底与支承衬底接合，该支承衬底的外形大于待处理衬底的外形，且在待处理衬底与支承衬底之间设置有光热转换层和粘合层，且即使对待处理衬底的与接合表面相反的表面进行处理，也能防止待处理衬底的被处理表面上产生外观损坏。在待处理衬底(3)的一个表面上形成粘合层(4)，在支承衬底(1)的一个表面上形成光热转换层(2)，该支承衬底(1)的表面的外形大于待处理衬底的该表面的外形，且通过将该衬底(3)接合到光热转换层(2)的该表面上且粘合层(4)设置在该衬底(3)与光热转换层(2)之间获得层叠主体。将层叠主体放置在旋涂机设备的室(8)中的旋转夹盘(9)上，并向光热转换层(2)的从待处理衬底暴露的部分(2a)上滴落碱性水溶液(11)，然后通过高压清洁喷嘴(12)清洁该暴露部分。接着，对衬底(3)的该表面进行抛光、湿法处理等，并制造半导体器件。

公开(公告)号：CN1885507B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610095626.0

申请日：2006-06-19

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 风间健一 ,  中岛经宏 ,  佐佐木弘次 ,  清水明夫 ,  林崇 ,  胁本博树

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。