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公开(公告)号：CN104849325A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410053946.4
申请日：2014-02-18
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明提供一种与CMOS工艺兼容的MEMS湿度传感器及其制造方法，其中，所述与CMOS工艺兼容的MEMS湿度传感器包括：具有正面和反面的基体；在所述基体正面形成的金属层，该金属层形成电容的两个电极，所述两个电极之间具有间隙，所述金属层的材质为与CMOS工艺兼容的金属材质；在所述金属层上涂覆湿度感知材料以形成的感知层，所述湿度感知材料填充两个电极之间的间隙。与现有技术相比，本发明中的MEMS湿度传感器在基体上形成的金属层为与CMOS工艺兼容的金属材质，这样MEMS温度传感器的制造方法就可以兼容CMOS工艺，进而使得本发明中的MEMS湿度传感器可以与传感器的数据读出电路集成在同一个芯片上，从而可以降低成本。
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公开(公告)号：CN103065942A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310006414.0
申请日：2013-01-08
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，根据透明保护层底部限定的参考平面获得其与半导体膜表面的高度差，根据测量槽的深度和所述高度差即可精确得到半导体膜的当前厚度，由此进一步控制腐蚀参数来腐蚀得到厚度精确的半导体膜。本发明克服了由于半导体晶圆厚度误差的造成的半导体膜厚度难以监控和测量的问题。
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公开(公告)号：CN103065942B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201310006414.0
申请日：2013-01-08
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，根据透明保护层底部限定的参考平面获得其与半导体膜表面的高度差，根据测量槽的深度和所述高度差即可精确得到半导体膜的当前厚度，由此进一步控制腐蚀参数来腐蚀得到厚度精确的半导体膜。本发明克服了由于半导体晶圆厚度误差的造成的半导体膜厚度难以监控和测量的问题。
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公开(公告)号：CN103663357A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210346875.8
申请日：2012-09-18
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
CPC分类号： B81C1/00396 , B81B2203/033 , B81C1/00412 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0132 , H01L21/3086
摘要： 本发明公开一种硅的刻蚀方法，用以在硅衬底上刻蚀不同宽度尺寸的硅槽，包括：S1、提供硅衬底；S2、在硅衬底上沉积掩膜层；S3、对掩膜层进行腐蚀，形成不同宽度尺寸的窗口，其中至少在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，以满足S4步骤后，所有硅槽的深度相同；S4、对位于窗口底部的掩膜层和硅衬底进行腐蚀，形成硅槽。本发明通过在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，让该一定厚度的掩膜层先保护住较大的窗口，让小的窗口先刻，以实现最终获得的硅槽的深度相同。
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公开(公告)号：CN104418294B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310368157.5
申请日：2013-08-22
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）进行非晶硅生长工艺；在非晶硅生长完成后，进行退火温度为T的第一次退火；测量应力，得到第一次退火后应力值S3；应力的变化值控制范围为S1～S2，则调整第二次退火实际所需温度上限为T1=（S3-S1-24）/8*10+T，调整第二次退火实际所需温度下限为T2=（S3-S2-24）/8*10+T。本发明根据多次试验，得出如何调整退火温度进而控制应力值变化的技术方案，该方案操作简单，易于实施，对于改进生产质量具有非常优异的效果，从而提高了整体效益。
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公开(公告)号：CN103777468B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210407378.4
申请日：2012-10-23
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2035 , G03F1/38 , G03F7/203
摘要： 本发明公开了一种基于高台阶斜坡的光刻方法及系统，该方法包括：S1、在衬底上制备具有高台阶斜坡的牺牲层；S2、在所述牺牲层上采用旋转涂胶方法覆盖一层光刻胶，形成光刻层；S3、设置掩膜版上的掩膜图形及补偿图形；S4、光刻机利用掩膜版对光刻层进行一次或多次光刻。通过在掩膜版上设置坡顶补偿图形和斜坡补偿图形，对具有高台阶斜坡的牺牲层的衬底进行光刻，在坡顶光刻胶厚度小部分设置较宽的补偿图形，进而对坡顶过曝光进行补偿，减小了光刻图形的误差，提高了高台阶斜坡的光刻精度。
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公开(公告)号：CN105092111A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410196810.9
申请日：2014-05-09
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
摘要： 本发明提供一种电容式压力传感器和其制作方法，该电容式压力传感器包括：绝缘衬底；下电极，其形成在所述绝缘衬底上；半导体衬底，在其第一表面上形成有凹槽，所述半导体衬底的所述第一表面与所述下电极相对且键合至所述绝缘衬底，且所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体衬底之间存在间隙；上电极，其为形成在所述凹槽对应的半导体衬底中的掺杂区；以及上电极引线和下电极引线，其分别连接至所述上电极和所述下电极。该电容式压力传感器通过将上电极和下电极分别形成在半导体衬底和绝缘衬底上，可以避免使用成本昂贵的TSV技术来隔离。并且采用本发明的技术可以避免工艺较为复杂的深坑刻蚀，进而可以避免因刻蚀而影响电容的特性。
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公开(公告)号：CN104132695A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310163826.5
申请日：2013-05-03
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
IPC分类号： G01F1/34
摘要： 本发明公开一种流量计，包括挡板体和设于所述挡板体上的压敏电阻，所述挡板体上分布有供气体流过的镂空，所述压敏电阻设于所述镂空的间隙，还包括设于所述挡板体上的发热电阻。该流量计能够有效吸收所测量气体中所带的水汽，避免水汽对压敏电阻的正常工作造成影响，从而该流量计测量结果较准确。
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公开(公告)号：CN103676481A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210346914.4
申请日：2012-09-18
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/038
摘要： 本发明提供了一种聚合物材料，该聚合物材料包含有SU8和表面活性剂。SU8为疏水性材料，因此在键合的时候需要先加热至130度以上使其回流，配合一定的压强，使两个硅片（玻璃片）完成键合。通过在SU8内添加少量的表面活性剂，将SU8改为亲水性的材料，这样SU8的表面粘性就非常好，通过光刻固化使得SU8在高温下仍然有很小量的回流，配合一定的压强，即可完成键合，而且键合压强低。本发明还公开了所述聚合物材料在键合中的应用。
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公开(公告)号：CN103539064B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210236844.7
申请日：2012-07-10
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
CPC分类号： B81C1/00476 , B81C2201/0133 , H01L21/30604
摘要： 本发明提供一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。
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