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公开(公告)号：CN105621347A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410607222.X
申请日：2014-10-31
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底表面利用等离子体增强化学气相淀积方法形成具有张应力的二氧化硅薄膜；对所述具有张应力的二氧化硅薄膜进行P型离子注入掺杂；对进行P型离子注入掺杂后的具有张应力二氧化硅薄膜进行退火。上述二氧化硅薄膜的制备方法，先利用等离子体增强化学气相淀积方法形成具有张应力的二氧化硅薄膜，并进一步进行P型离子注入掺杂以及退火，能够获得较为稳定的具有张应力的二氧化硅薄膜，有效减缓二氧化硅薄膜由张应力变为压应力的趋势，并使其在一定时间内保持为张应力，从而避免出现由于压应力薄膜造成器件不平整等带来的器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN103488063B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210190822.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , G03F9/708 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对位标记及其制作方法，该对位标记采用各向异性刻蚀技术制作形成，由于各向异性刻蚀在晶圆不同晶面上的刻蚀速率不一致，可以在晶圆上刻蚀出特定的晶面。依据该特征形成的V型槽，由于两个槽面都是具有特定晶向的晶面，所以其所夹形成的槽脊线也必定准直于晶圆晶向。因此本发明的对位标记可以避免晶圆制作过程引入的对位误差，提高后续对位工艺的精确度和准确性。
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公开(公告)号：CN103523738A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103515200A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210197858.2
申请日：2012-06-15
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种厚多晶硅的制备方法，包括：在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层；以及在所述种子层上，通过使用外延气体，外延生长出一层厚的多晶硅层。通过使用本发明能够高效地获得厚多晶硅，同时又能够解决反应炉内副产品的堆积带来的问题。
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公开(公告)号：CN103488063A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210190822.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , G03F9/708 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种对位标记及其制作方法，该对位标记采用各向异性刻蚀技术制作形成，由于各向异性刻蚀在晶圆不同晶面上的刻蚀速率不一致，可以在晶圆上刻蚀出特定的晶面。依据该特征形成的V型槽，由于两个槽面都是具有特定晶向的晶面，所以其所夹形成的槽脊线也必定准直于晶圆晶向。因此本发明的对位标记可以避免晶圆制作过程引入的对位误差，提高后续对位工艺的精确度和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102263011B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010188028.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/60 , H01L23/525 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。
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公开(公告)号：CN102263011A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010188028.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/60 , H01L23/525 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。
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公开(公告)号：CN102148151A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010118122.2
申请日：2010-02-10
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/00 , H01L21/687
Abstract: 一种刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法，其中氮化硅的刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层，所述刻蚀工艺采用的腔室去除聚焦环，且所述腔室的覆盖环表面无锁孔。本发明能够避免在刻蚀工艺形成的聚合物掉落在刻蚀衬底上，还能够减低刻蚀腔室内的部件清洗次数；且刻蚀工艺选用刻蚀腔室的覆盖环表面无锁孔，避免等离子体透过锁孔造成电流导通，造成静电卡盘被等离子体打坏，从而影响工艺。
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公开(公告)号：CN103065942B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201310006414.0
申请日：2013-01-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，根据透明保护层底部限定的参考平面获得其与半导体膜表面的高度差，根据测量槽的深度和所述高度差即可精确得到半导体膜的当前厚度，由此进一步控制腐蚀参数来腐蚀得到厚度精确的半导体膜。本发明克服了由于半导体晶圆厚度误差的造成的半导体膜厚度难以监控和测量的问题。
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公开(公告)号：CN105174203B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410231976.X
申请日：2014-05-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00 , B81C2201/0133 , B81C2201/0142
Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。
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