修正装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104425199B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201410418547.3

    申请日:2014-08-22

    IPC分类号: H01J37/21

    摘要: 本发明公开一种修正装置,其对于试样的损伤较小,在长时间内稳定且效率良好地进行掩膜等的细微部位的修正。修正装置(10)至少具备:气体电场电离离子源,其具有锐化的针尖;冷却单元,其冷却针尖;离子束镜筒(11),其使在气体电场电离离子源产生的气体的离子集束,形成集束离子束;试样工作台(15),其设置经通过离子束镜筒(11)形成的集束离子束照射的试样,并能够移动;试样室(13),其内置试样工作台(15);以及控制部(20),其通过集束离子束修正作为试样的掩膜(14)或纳米压印光刻的模具。气体电场电离离子源以氮作为离子,并具备通过铱单晶构成的针尖,该铱单晶具有能够产生离子的单一的顶点。

    修正装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104425199A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410418547.3

    申请日:2014-08-22

    IPC分类号: H01J37/21

    摘要: 本发明公开一种修正装置,其对于试样的损伤较小,在长时间内稳定且效率良好地进行掩膜等的细微部位的修正。修正装置(10)至少具备:气体电场电离离子源,其具有锐化的针尖;冷却单元,其冷却针尖;离子束镜筒(11),其使在气体电场电离离子源产生的气体的离子集束,形成集束离子束;试样工作台(15),其设置经通过离子束镜筒(11)形成的集束离子束照射的试样,并能够移动;试样室(13),其内置试样工作台(15);以及控制部(20),其通过集束离子束修正作为试样的掩膜(14)或纳米压印光刻的模具。气体电场电离离子源以氮作为离子,并具备通过铱单晶构成的针尖,该铱单晶具有能够产生离子的单一的顶点。