装备有气体离子源的粒子光学设备

    公开(公告)号:CN101026080A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710006000.2

    申请日:2007-02-25

    申请人: FEI公司

    摘要: 一种具有高亮度和低能量散度的电子撞击气体离子。通过从一侧将电子注入较小的离子化体积空间(尺寸从小于1μm到几十微米)且从另一侧抽出离子而实现该高亮度。通过高亮度电子源如场致发射器或肖特基发射器产生被注射的电子。在一个实施例中,在源与离子化体积空间之间没有光学器件的情况下,通过将场致发射器接近所述离子化体积空间(如30μm)放置而在所述离子化体积空间中实现所需高电子密度。在另一个实施例中,所述源被成像到微电子机械系统结构上。两个例如50nm的小光阑被隔开例如1μm。电子通过这些光阑中的一个进入,而离子通过另一个光阑离开所述离子化体积空间。例如通过用离子束钻孔制造所述两个光阑,从而导致形成两个小的且适当对齐的光阑。

    装备有气体离子源的粒子光学设备

    公开(公告)号:CN101026080B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200710006000.2

    申请日:2007-02-25

    申请人: FEI公司

    摘要: 一种具有高亮度和低能量散度的电子撞击气体离子。通过从一侧将电子注入较小的离子化体积空间(尺寸从小于1μm到几十微米)且从另一侧抽出离子而实现该高亮度。通过高亮度电子源如场致发射器或肖特基发射器产生被注射的电子。在一个实施例中,在源与离子化体积空间之间没有光学器件的情况下,通过将场致发射器接近所述离子化体积空间(如30μm)放置而在所述离子化体积空间中实现所需高电子密度。在另一个实施例中,所述源被成像到微电子机械系统结构上。两个例如50nm的小光阑被隔开例如1μm。电子通过这些光阑中的一个进入,而离子通过另一个光阑离开所述离子化体积空间。例如通过用离子束钻孔制造所述两个光阑,从而导致形成两个小的且适当对齐的光阑。

    粒子源及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102842474A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201110175692.X

    申请日:2011-06-22

    发明人: 刘华荣

    IPC分类号: H01J9/02 H01J37/08 H01J37/06

    摘要: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法,包括:将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体,对金属丝的温度进行调节,并对金属丝施加正高压V,使得金属丝表面的活性气体离解,在金属丝头部侧面产生刻蚀带,在该刻蚀带内发生场致刻蚀;场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强,直到大于金属丝材料的场致蒸发电场,使得此处的金属原子被蒸发出去;在场致刻蚀触发了场致蒸发之后,场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成,其中场致刻蚀发生在侧面,形成了底座,而场致蒸发发生在顶端,形成了针尖;以及当获得具有预定形状的金属丝头部时,停止场致刻蚀和场致蒸发。