半导体光集成元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111819743B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN201980017585.9

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法,在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中,不追加检查工序,防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成:DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上,使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件,从而形成半导体晶片的步骤;以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片,形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤;经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤;以及在检查后,在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件,由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断,从而进行电分离的步骤。

    光调制器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102472900B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201080029876.9

    申请日:2010-07-09

    Abstract: 在各臂上具备子MZI的嵌套MZI调制器中,降低对来自子MZI的光信号的相对相位进行调整的相对相位调整部本身和相对相位调整部的驱动电路这两方的消耗电力。方式(1a)的复合集成型嵌套MZI调制器的结构如下:代替在母MZI中配置相对相位调整部而在各个子MZI内设置对上下两臂均施加方向与极化方向相同(或相反方向)的电场的偏置电极Bias90°和接地电极(参照图4B),设置于各个子MZI的偏置电极Bias90°和接地电极整体构成相对相位调整部。这种相对相位调整部能够对子MZI的上下臂波导的光信号分别赋予同方向的相位变化,因此从光信号的角度来看与在子MZI输出之后接受相位变化(参照图1A)是等价的。

    光调制器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102472900A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080029876.9

    申请日:2010-07-09

    Abstract: 在各臂上具备子MZI的嵌套MZI调制器中,降低对来自子MZI的光信号的相对相位进行调整的相对相位调整部本身和相对相位调整部的驱动电路这两方的消耗电力。方式(1a)的复合集成型嵌套MZI调制器的结构如下:代替在母MZI中配置相对相位调整部而在各个子MZI内设置对上下两臂均施加方向与极化方向相同(或相反方向)的电场的偏置电极Bias90°和接地电极(参照图4B),设置于各个子MZI的偏置电极Bias90°和接地电极整体构成相对相位调整部。这种相对相位调整部能够对子MZI的上下臂波导的光信号分别赋予同方向的相位变化,因此从光信号的角度来看与在子MZI输出之后接受相位变化(参照图1A)是等价的。

    半导体光集成元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111819743A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201980017585.9

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法,在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中,不追加检查工序,防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成:DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上,使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件,从而形成半导体晶片的步骤;以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片,形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤;经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤;以及在检查后,在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件,由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断,从而进行电分离的步骤。

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