-
公开(公告)号：CN113366622B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
摘要： 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
-
公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
-
公开(公告)号：CN113424308A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014189.3
申请日：2020-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285
摘要： 提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
-
公开(公告)号：CN115210404A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180019084.1
申请日：2021-03-03
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/54 , H01L21/285
摘要： 本发明提供了将气体反应物输送到处理室的方法和相关装置。
-
公开(公告)号：CN113710830A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080027971.9
申请日：2020-04-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/14 , H01L21/768
摘要： 提供实现非常好的台阶覆盖率的沉积钨成核层的方法。本方法涉及包含一系列的含钨前体与含硼还原剂的交替脉冲，同时氢(H2)与含硼还原剂共流。H2流在含钨前体流之前停止。通过使H2与含硼还原剂共流但不与含钨前体流共流，能减少寄生CVD成分，得到更自限制性的处理。这进而能改善成核层的台阶覆盖率及保形性。还提供相关的装置。
-
公开(公告)号：CN113366622A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
摘要： 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.039 秒)
