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公开(公告)号：CN118302849A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077579.4
申请日：2022-11-21
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/32
摘要： 本文公开了一种具有流导特征的改良式边缘环。边缘环的流导特征为添加至边缘环的特征，其可调整在边缘环局部区域中流动的气体的流导。流导特征可以调整流导以补偿半导体晶片上、边缘环上以及室中可能影响局部区域中的气体流动的特征。取决于所需效果，流导可以增加、降低或进行调整。
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公开(公告)号：CN112204725A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036351.9
申请日：2019-04-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿南德·查德拉什卡 , 埃里克·H·伦茨 , 伦纳德·韦·丰·许 , 杰弗里·查尔斯·克莱文杰 , 河仁守
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本文提供了用于控制半导体晶片的边缘区域处的处理均匀度的方法和设备。在一些实施方案中，这些方法包含使边缘区域暴露于诸如蚀刻气体及/或抑制气体之类的处理气体。本文还提供了包括多个环件的排除环组件，其可实施以提供对在晶片边缘处的处理环境的控制。
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公开(公告)号：CN115210404A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180019084.1
申请日：2021-03-03
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/54 , H01L21/285
摘要： 本发明提供了将气体反应物输送到处理室的方法和相关装置。
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公开(公告)号：CN115362531A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025794.5
申请日：2021-03-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06
摘要： 本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。还提供了增强抑制的方法和减少或消除金属成核抑制的方法。
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公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
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公开(公告)号：CN111989768A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201880089300.8
申请日：2018-12-05
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 袁光璧 , 泰迪亚斯·班福德 , 柯蒂斯·沃伦·贝利 , 托尼·考沙尔 , 克里希纳·比鲁 , 威廉·施洛瑟 , 达莫达·尚巴格 , 龚波 , 邱华檀 , 赖锋源 , 许晨华 , 杰弗里·霍恩 , 罗希特·哈雷 , 伦纳德·韦·丰·许 , 阿南德·查德拉什卡 , 安德鲁·H·布伦宁格 , 刘刚
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
摘要： 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。
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