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公开(公告)号：CN118302849A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077579.4
申请日：2022-11-21
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/32
摘要： 本文公开了一种具有流导特征的改良式边缘环。边缘环的流导特征为添加至边缘环的特征，其可调整在边缘环局部区域中流动的气体的流导。流导特征可以调整流导以补偿半导体晶片上、边缘环上以及室中可能影响局部区域中的气体流动的特征。取决于所需效果，流导可以增加、降低或进行调整。
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公开(公告)号：CN109216205B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810708233.5
申请日：2018-07-02
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及氮化钨阻挡层沉积，具体提供了氮化钨(WN)沉积的方法。还提供了用于钨(W)触点与锗化硅(SiGe)层的叠层以及用于形成它们的方法。叠层包括SiGe/硅化钨(WSix)/WN/W层，其中WSix提供SiGe和WN层之间的欧姆接触。还提供了在使用六氟化钨(WF6)沉积含W膜中减少氟(F)对下层的侵蚀的方法。还提供了执行这些方法的装置。
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公开(公告)号：CN112534563A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051947.6
申请日：2019-06-14
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 用于衬底处理系统的排放系统包含：自由基产生器，其构造成接收包含卤素物质的气体混合物并产生卤素自由基；第一泵，其从处理室的排放出口抽出废气；以及第一阀，其被构造成选择性地将自由基产生器的出口流体地连接到处理室的出口下游的第一泵。
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公开(公告)号：CN112204725A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036351.9
申请日：2019-04-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿南德·查德拉什卡 , 埃里克·H·伦茨 , 伦纳德·韦·丰·许 , 杰弗里·查尔斯·克莱文杰 , 河仁守
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本文提供了用于控制半导体晶片的边缘区域处的处理均匀度的方法和设备。在一些实施方案中，这些方法包含使边缘区域暴露于诸如蚀刻气体及/或抑制气体之类的处理气体。本文还提供了包括多个环件的排除环组件，其可实施以提供对在晶片边缘处的处理环境的控制。
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公开(公告)号：CN107845572A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710766255.2
申请日：2017-08-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿南德·查德拉什卡 , 玛德乎·桑托什·库玛·穆特亚拉
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/32136 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01L21/76883 , H01L21/306 , H01J37/32009 , H01J37/32192
摘要： 本发明涉及用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体。提供了用于使用含氮蚀刻物气体来蚀刻钨和其它金属或含金属膜的方法。该方法包括将膜暴露于连续波(CW)等离子体，并且在蚀刻操作即将结束时切换到脉冲等离子体。脉冲等离子体具有较低的氮自由基浓度，可以减轻氮化对钨表面的影响。在一些实施方式中，在没有成核延迟的情况下执行在蚀刻表面上的后续沉积。还提供了用于执行所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN118648098A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019723.3
申请日：2023-02-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本文公开包含晶片卡盘和喷头的处理工具。在至少一实现方案中，晶片卡盘被耦合至可操作以相对于喷头竖直移动晶片卡盘的马达。在至少一实现方案中，承载环介于晶片卡盘与喷头之间。在至少一实现方案中，承载环包含在晶片卡盘上的晶片的边缘上方延伸的悬垂部。在至少一实现方案中，承载环机械地耦合至可操作以相对于晶片卡盘竖直移动承载环的心轴。
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公开(公告)号：CN115362531A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025794.5
申请日：2021-03-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06
摘要： 本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。还提供了增强抑制的方法和减少或消除金属成核抑制的方法。
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公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
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公开(公告)号：CN113424308A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014189.3
申请日：2020-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285
摘要： 提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
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