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公开(公告)号：CN102471868B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080027832.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C01B33/02 , C23C14/14
Abstract: 本发明提供一种薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料。以在基板(21)上形成薄膜的方式，使从蒸发源(9)飞来的粒子以真空中的规定成膜位置(33)在基板(21)上堆积。在使含有薄膜的原料的棒状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔解的同时，将熔解的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为棒状材料(32)，使用棒状硅材料，所述棒状硅材料，从垂直于材料(32)的长轴方向的截面的中心向外周部，在长度90％的位置上存在多个分别被晶界包围的第一区域，多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且从中心向外周部，在长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm。
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公开(公告)号：CN103052908A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001341.X
申请日：2012-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F2001/134372
Abstract: 本发明涉及的液晶显示装置，具备：一对透明基板，隔着液晶层彼此对置配置；栅极绝缘膜(3)，按照覆盖栅电极(2)的方式形成，该栅电极(2)形成在透明基板之中的一个透明基板(1)的液晶侧的像素区域；开关元件，设置在栅极绝缘膜(3)上、且由薄膜晶体管构成；第1电极(8)，在开关元件上隔着第1绝缘膜(6)以及第2绝缘膜(7)而设置；和第2电极(10)，在第1电极(8)上隔着第3绝缘膜(9)而设置，在第1电极(8)与第2电极(10)之间产生与一对透明基板平行的电场，第2绝缘膜(7)由具有Si-O键的SOG材料构成。
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公开(公告)号：CN101946021B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101668701B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～1600℃并保持一定时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471868A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080027832.2
申请日：2010-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C01B33/02 , C23C14/14
Abstract: 本发明提供一种薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料。以在基板(21)上形成薄膜的方式，使从蒸发源(9)飞来的粒子以真空中的规定成膜位置(33)在基板(21)上堆积。在使含有薄膜的原料的棒状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔解的同时，将熔解的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为棒状材料(32)，使用棒状硅材料，所述棒状硅材料，从垂直于材料(32)的长轴方向的截面的中心向外周部，在长度90％的位置上存在多个分别被晶界包围的第一区域，多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且从中心向外周部，在长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm。
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公开(公告)号：CN101946021A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN102016103B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN102016103A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN101668701A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。
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