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公开(公告)号：CN102677000B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210073590.1
申请日：2012-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
Abstract: 一种蒸镀用舟皿和使用该蒸镀用舟皿的成膜方法。一种蒸镀用舟皿，其能消除材料线材在空中熔解而产生的飞沫，并且材料蒸发区域不会缩小。以使池(2)一端(3a)的材料供给部(9a)的温度比与该材料供给部(9a)另一端(3b)一侧连接的材料蒸发部(10)的温度低的方式，在池(2)的材料蒸发部(10)背面设有截面积相等的平坦部(14)和将平坦部(14)与材料供给部(9a)连接的倾斜部(15a)，并将倾斜部(15a)形成为截面积在从一端(3a)到另一端(3b)的方向上变大，由此形成温度分布。
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公开(公告)号：CN101445915A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180530.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。
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公开(公告)号：CN102016103B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN102016103A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980105248.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/042 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。
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公开(公告)号：CN101889103A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101289736A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810093059.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: G01L11/02 , C23C14/0042 , H05H1/0037
Abstract: 简便地测量真空腔室内部的分压分布的分压测量方法及分压测量装置包括：移动步骤，使真空腔室内具有的测量专用的局部等离子源(9)移动到测量部位；以及测量步骤，经由设在真空腔室的壁部上的供光通过的窗，受光来自局部等离子源产生的等离子的发光，通过分光测量所受光的发光的发光强度，测量真空腔室内的分压分布。
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公开(公告)号：CN102677000A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210073590.1
申请日：2012-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
Abstract: 一种蒸镀用舟皿和使用该蒸镀用舟皿的成膜方法。一种蒸镀用舟皿，其能消除材料线材在空中熔解而产生的飞沫，并且材料蒸发区域不会缩小。以使池(2)一端(3a)的材料供给部(9a)的温度比与该材料供给部(9a)另一端(3b)一侧连接的材料蒸发部(10)的温度低的方式，在池(2)的材料蒸发部(10)背面设有截面积相等的平坦部(14)和将平坦部(14)与材料供给部(9a)连接的倾斜部(15a)，并将倾斜部(15a)形成为截面积在从一端(3a)到另一端(3b)的方向上变大，由此形成温度分布。
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公开(公告)号：CN101445915B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810180530.3
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。
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公开(公告)号：CN101849033B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN101946021A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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