-
公开(公告)号：CN107612514A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
-
公开(公告)号：CN107612514B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
-
公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
摘要： 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
-
公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN117740718A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735830.4
申请日：2023-12-18
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G01N21/3581
摘要： 本发明公开了一种基于非对称劈裂环(ASR)/对称劈裂环(SSR)双环法诺共振的高灵敏度太赫兹传感器。本发明采用了一种两层结构，上层为金属双劈裂环结构，其中外环是非对称结构，内环是对称结构。设计的传感器劈裂环用金属银材料。下层衬底为长方体结构，所用材料为二氧化硅。由平面光垂直入射并在波导中传输、耦合到环形谐振腔时，当满足共振条件，可以产生一个尖锐的Fano共振峰，其灵敏度高达10.78THz/RIU、Q值达到21.78。该发明在Thz波段具有较高的灵敏度，且结构简单，制备工艺简易，在非线性光学、激光和生物传感等领域具有重要的潜在应用价值。
-
公开(公告)号：CN108306622B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
-
公开(公告)号：CN116736421A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310772946.9
申请日：2023-06-28
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种多波段可调谐偏振无关吸波器。该吸波器由两个平行于x轴的黑磷纳米带、二氧化硅介质层、两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层组成。当只有两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层时，所提出的结构可以实现偏振相关的各向异性吸收。通过改变右侧黑磷纳米带的宽度，可以实现可调谐的三波段吸收，并且证明改变黑磷纳米带的电子掺杂浓度，可以实现吸收光谱的调节。此外，在完整的结构下可以实现偏振无关的吸收。该发明提供了一种在多波段可调谐偏振无关吸波器件中具有极大应用潜力的结构。
-
公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
-
公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
157 条记录 (耗时 0.05 秒)
