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公开(公告)号：CN119754376A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410923947.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制冷技术，公开了一种半导体冷凝取水装置、冷凝取水控制方法及存储介质，其中，半导体冷凝取水装置包括壳体，壳体上开设有进风口和出风口，壳体内设有集水箱；半导体制冷板，半导体制冷板设于壳体内并处于集水箱的上方，半导体制冷板将壳体的内部分割为在上的加热腔和在下的冷凝腔，进风口与加热腔连通，出风口与冷凝腔连通，半导体制冷板的制冷面朝向集水箱。该半导体冷凝取水装置在低温环境下取水的能耗低。
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公开(公告)号：CN118630073A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411103908.5
申请日：2024-08-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118496906A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310130297.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: C10M169/04 , H01L21/304 , B28D5/00 , C10N30/04
Abstract: 本申请提供了一种碳化硅晶体切割液，按重量百分含量计，包括60％‑80％的分散剂、5％‑10％的低共熔溶剂、10％‑20％的磨料、0.5％‑2％的防沉剂、0.05％‑2％的pH调节剂和0.05％‑1％的极压剂。该碳化硅晶体切割液具有优异的悬浮稳定性，各组分的稳定性和分散性好，有利于碳化硅晶体切割液的使用，本申请还提供了碳化硅晶体切割液的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN116259534B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310533579.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及碳化硅外延技术领域，特别涉及一种碳化硅外延方法。碳化硅外延方法包括以下步骤：对碳化硅衬底进行原位刻蚀；在碳化硅衬底的一侧表面沉积第一外延层，第一外延层的沉积速率为60μm/h~80μm/h；在第一外延层的一侧沉积第一缓冲层；在第一缓冲层背离碳化硅衬底的一侧表面沉积第二外延层。在第一外延层的快速沉积过程中，C原子和Si原子在凹坑缺陷处聚集沉积，从而能够将部分凹坑缺陷填平，减少了碳化硅表面凹坑缺陷的数量，进而使第二外延层表面具有较少的凹坑缺陷，容易满足半导体器件的制备要求，这也有利于提高碳化硅半导体器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN114853022B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110152031.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: C01B32/963
Abstract: 本发明公开了一种用于制备碳化硅的复合粉体及其制备方法、应用。所述复合粉体呈核壳结构，包括外壳和被所述外壳包覆的内核；其中，所述外壳包括碳化硅，所述内核包括高熔点金属的硅碳化合物或所述内核包括高熔点金属的硅化物和高熔点金属的硅碳化合物。所述内核是高熔点金属的硅化物或者金属、硅和碳的化合物，高温下的稳定性与碳化硅相当，在碳化硅晶体生长的后期所述内核可以提供额外的硅，来维持稳定的碳硅比气氛，以使碳化硅晶体生长的整个过程中碳硅比保持稳定，从而使制备的碳化硅晶体具有更好的性能。
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公开(公告)号：CN115109240B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110309064.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
IPC: C08G63/199
Abstract: 本申请提供了一种共聚酯，具有式(Ⅰ)表示的结构通式：R为‑(CH2)m‑或 m为2‑6之间的整数；y为28‑240之间的整数，z为52‑360之间的整数。该共聚酯不仅具有较低的介电常数及介电损耗因子，还能兼顾优异的力学性能，更适合应用到电子通信领域，以实现对信号进行高速、低损失传输，并具有较高的质量可靠性。本申请还提供了上述共聚酯的制备方法及其在通信领域的应用。
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公开(公告)号：CN117362066A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210779079.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷覆铜基板及其制备方法，陶瓷覆铜基板包括陶瓷基层和铜金属层，以及位于陶瓷基层和铜金属层之间的反应层、固溶层和金属间化合物层，反应层与陶瓷基层相邻，由Ti与陶瓷反应形成；固溶层由Sn固溶于Cu形成；金属间化合物层含有Cu、Ti和P。根据本发明，陶瓷覆铜基板的陶瓷基层与铜金属层之间具有较高的接合能力，而且由于采用成本较低的Cu‑P‑Sn钎料，使得基板的材料成本较低。
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公开(公告)号：CN115915888A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111164889.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
Abstract: 本申请属于半导体制冷片技术领域，提供了一种半导体制冷片、模组的制备方法，其中半导体制冷片的制备方法中，采用第一基板印刷第一锡膏，第二基板印刷第二锡膏，且第二锡膏的熔点低于第一锡膏，先将第一基板与晶粒进行第一次贴片、第一次回流焊之后，再将带有晶粒的第一基板与第二基板进行第二次贴片，之后再进行第二次回流焊。先将晶粒经过第一次回流焊固化到第一基板上，且第二次回流焊的温度高于第二锡膏熔化温度低于第一锡膏熔化温度，避免了贴片过程中晶粒位置偏移，出现晶粒排布不整齐、倾斜、出现裂纹、破损等现象，在第二次回流焊的过程中不将第一锡膏熔化，从而保证晶粒排布整齐的固定在第一基板上。
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公开(公告)号：CN114230359B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010940503.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本申请提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法，包括：对铜箔进行湿法氧化，在铜箔的两侧表面形成铜氧化物层；将湿法氧化后的铜箔与陶瓷基板进行高温覆接，以在陶瓷覆铜板的至少一侧表面形成铜层，得到陶瓷覆铜基材；铜层的非覆接面具有高度大于0.1mm的铜氧共晶凸点；将陶瓷覆铜基材在氧分压不超过50ppm的气氛中进行热处理以消除铜氧共晶凸点，得到陶瓷覆铜板；其中，热处理的保温温度高于高温覆接的保温温度，热处理时的升温时长大于高温覆接时的升温时长。该制备方法得到的陶瓷覆铜板上的铜层的非覆接面趋于平整，不存在凸点，便于后续焊接。本申请还提供了采用该方法制得的陶瓷覆铜板。
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公开(公告)号：CN115527884A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111647968.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 为克服现有晶圆片的湿法化学清洗工艺存在清洗效率低、废液处理难度高和表面金属离子、颗粒残留的问题，本发明提供了一种晶圆片的清洗装置和清洗方法，所述晶圆片的清洗装置包括粗清洗模块、转运结构和精清洗模块，所述粗清洗模块包括第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽中设置有第一清洗液，所述第二清洗槽中设置有第二清洗液，所述第三清洗槽中设置有第三清洗液，所述精清洗模块包括毛刷清洗装置和冲洗装置。本发明提供的晶圆片的清洗装置能够有效去除晶圆片上的颗粒和减少金属离子残留，降低清洗产生的废液量，显著提高了清洗效果。
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