公开(公告)号：CN115175466B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210776907.1

申请日：2022-07-04

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 李辛未 ,  贺贤汉 ,  李炎 ,  马敬伟 ,  张恩荣

IPC分类号： H05K3/18 ,  C25D3/56 ,  C25D5/14 ,  C25D5/48

摘要： 本发明公开了一种提升陶瓷覆铜基板表面电镀锡镍合金的焊接方法；本发明针对锡镍合金镀层会出现的锡不饱满、虚焊、漏焊、流焊等不良现象，在陶瓷覆铜板表面采用多层电镀复合的方式，提升电镀层的锡含量，避免由于单纯电镀锡镍合金易出现比例失调的缺点，同时为了增强镀层间结合力，本发明还利用粗化处理，将镀层间金属交杂混合在一起，并利用锡金属熔点低的特点，升温加热后使锡金属进入金属层间结合空隙，提升结合力度，并且由于锡镍合金层含有锡金属，互溶后，可以提高锡镍合金层间的锡含量，增强表面镀层易焊性；并且本发明还在电镀锡镍合金层时添加了聚氧乙烯烷基酚磺酸钠，平衡粗化锡镀层表面电位，提升电镀锡镍合金层的光滑度。

公开(公告)号：CN114309955B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210035453.2

申请日：2022-01-13

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 马敬伟 ,  贺贤汉 ,  朱锐 ,  李炎

IPC分类号： B23K26/352 ,  B23K26/362 ,  B23K26/60 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082

摘要： 本发明公开了一种陶瓷覆铜基板及其激光加工工艺，具体涉及覆铜基板技术领域，包括陶瓷覆铜基片、表面改性剂。本发明中可有效对陶瓷覆铜基板表面进行改性处理，可有效加强陶瓷覆铜基板表面粗糙均匀性，同时提高陶瓷覆铜基板的易焊接性能，可对裸铜、镀镍、镀金、镀银、阻焊、点胶的表面进行处理，使其达到理想的粗糙度，进而加强陶瓷覆铜基板焊接性能；可在陶瓷覆铜基片表面制成纳米锌、纳米银、纳米铝和纳米铟锡纤维，可有效加强陶瓷覆铜基片表面粗糙均匀性，激光加工处理，可有效对半成品陶瓷覆铜基板表面进行蚀刻加工处理，使得陶瓷覆铜基板表面形成均匀致密的粗糙层，可进一步保证陶瓷覆铜基板的焊接加工效果。

公开(公告)号：CN113501725B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202110822694.7

申请日：2021-07-21

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 欧阳鹏 ,  贺贤汉 ,  王斌 ,  葛荘 ,  张进 ,  管鹏飞

IPC分类号： C04B37/02 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及覆铝陶瓷绝缘衬板的制备方法，包括：(1)陶瓷金属化层制备，在基板表面形成均匀铝金属化层；(2)表面镀，在高纯铝箔或陶瓷基板表面形成均匀微米级镀层；(3)瞬间液相扩散焊接，陶瓷基板双面贴合高纯铝箔，瞬间液相扩散焊接后得覆铝陶瓷绝缘衬板。本发明采用高温浸润性烧结制备铝金属化层，获得高纯度及高键合强度的铝金属化层；采用表面镀工艺，在铝面均匀形成微米级镀层，作为瞬间液相扩散焊接的中间层，同时消除了铝表面的氧化层；采用瞬间液相扩散焊接成型，中间层溶解、扩散至铝箔和金属化层中，避免了界面层产生金属间化合物，保持高纯铝面成分，可降低覆铝陶瓷绝缘衬板制造成本，工艺可控，且良率高，适宜进行批量生产。

公开(公告)号：CN115107324A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210845532.X

申请日：2022-07-19

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 蔡俊 ,  贺贤汉 ,  马敬伟 ,  李炎 ,  陆玉龙 ,  董明锋

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B7/10 ,  C04B37/02 ,  C23C8/10 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C21D9/46

摘要： 本发明提供了一种增加DCB铜厚的方法，本发明中根据覆铜陶瓷基板所需DCB铜片的厚度，设计若干种厚度组合方式，根据厚度组合方式准备对应厚度的铜片，将铜片进行干法热氧化预处理，在铜片底部氧化形成单面氧化的铜片，再将单面氧化的铜片和瓷片堆叠烧结，得到增厚铜片，增厚厚度为0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm等，通过将所需增厚铜片进行计算分解、铜片预氧化、铜片瓷片堆叠烧结的工艺流程，得到的增厚DCB产品精准度高，工作性能与定制铜厚覆铜陶瓷基板一致，避免了生产特定铜厚产品成本过高导致亏损的情况，同时简单有效解决了非常规铜厚产品的供货需求问题。

公开(公告)号：CN111621787B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010344070.4

申请日：2020-04-27

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 王斌 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  孙泉 ,  葛荘 ,  戴洪兴

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/32 ,  C09K13/00 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法。所述的蚀刻液体系包括：第一蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％氨水、3％‑8％强氧化剂、0.5％～5％络合剂以及余量的水；第二蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％碱、2％‑8％过氧化氢以及余量的水。所述的氮化铝基板的刻蚀方法，对焊料结合层的蚀刻分两步进行，第一步使用本发明所述第一蚀刻液对铜银共晶层及氮钛反应层进行刻蚀，第二步使用本发明所述第二蚀刻液对铝钛金属间化合物进行刻蚀。本发明的蚀刻液体系具备高选择性、刻蚀能力强；本发明的刻蚀方法蚀刻效率高、蚀刻品质优良；本发明实现了高导热氮化铝陶瓷基板高效、高精度的刻蚀。

公开(公告)号：CN110993485B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201911181492.8

申请日：2019-11-27

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 王斌 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  孙泉 ,  马敬伟 ,  戴洪兴

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN114309955A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210035453.2

申请日：2022-01-13

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 马敬伟 ,  贺贤汉 ,  朱锐 ,  李炎

IPC分类号： B23K26/352 ,  B23K26/362 ,  B23K26/60 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082

摘要： 本发明公开了一种陶瓷覆铜基板及其激光加工工艺，具体涉及覆铜基板技术领域，包括陶瓷覆铜基片、表面改性剂。本发明中可有效对陶瓷覆铜基板表面进行改性处理，可有效加强陶瓷覆铜基板表面粗糙均匀性，同时提高陶瓷覆铜基板的易焊接性能，可对裸铜、镀镍、镀金、镀银、阻焊、点胶的表面进行处理，使其达到理想的粗糙度，进而加强陶瓷覆铜基板焊接性能；可在陶瓷覆铜基片表面制成纳米锌、纳米银、纳米铝和纳米铟锡纤维，可有效加强陶瓷覆铜基片表面粗糙均匀性，激光加工处理，可有效对半成品陶瓷覆铜基板表面进行蚀刻加工处理，使得陶瓷覆铜基板表面形成均匀致密的粗糙层，可进一步保证陶瓷覆铜基板的焊接加工效果。

公开(公告)号：CN111933610B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010690909.X

申请日：2020-07-17

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 王斌 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  葛荘 ,  孙泉 ,  张恩荣

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种带有缓冲层的金属陶瓷基板及其制备方法。一种带有缓冲层的金属陶瓷基板，包括一陶瓷片以及覆盖在所述陶瓷片上的金属层，其特征在于，所述金属层以及所述陶瓷片之间设有一缓冲层；所述缓冲层是一厚度为6μm‑50μm的微孔形中间结合层，所述微孔形中间结合层设有孔洞，所述孔洞的孔径大小为0.01μm‑5μm，所述微孔形中间结合层孔隙率在3％‑60％。带有缓冲层的金属陶瓷基板在经历冷热循环或冷热冲击时，缓冲层能有效的降低瓷片所受的热应力，从而有效增强金属陶瓷基板冷热循环可靠性。

公开(公告)号：CN111593349B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202010494890.1

申请日：2020-06-03

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 葛荘 ,  贺贤汉 ,  欧阳鹏 ,  王斌 ,  马敬伟 ,  张恩荣

IPC分类号： C23F1/26 ,  C23F1/04

摘要： 本发明涉及一种用于制备超薄钛箔的化学铣切液及铣切方法，该铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，浓度为0.1～0.5g/100mL铣切液的缓蚀稳定剂，余量为纯水。铣切方法包括如下工序：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min‑10min后烘干取出；2)化学铣切：将经步骤1)处理后的钛箔浸没在所述化学铣切液中1min‑4min中进行铣切；3)表面清洗：铣切后的钛箔依次在丙酮、纯水中浸洗共计6min‑10min。本发明由于在铣切液中添加使用了缓蚀稳定剂，加入该种稳定剂的化学铣切液铣切均匀、可明显缓解钛箔表面起皱现象、铣切液稳定性高，更适用于加工超薄钛箔焊片。

公开(公告)号：CN115410925B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211155745.6

申请日：2022-09-22

申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司

发明人： 欧阳鹏 ,  贺贤汉 ,  王斌 ,  武威 ,  刘洋 ,  张进

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  C23C10/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C18/16 ,  C23C18/36 ,  C23C28/02

摘要： 本发明提供了一种提高氮化铝覆铝封装衬板耐热循环可靠性的办法，本发明中，在氮化铝覆铝陶瓷基板表面溅射镀铜并进行真空扩散烧结，在铝表面层引入微量铜元素，形成均匀的铜铝固溶体硬化层，再对其进行表面进行化学镀镍处理在表面形成均匀镀镍层，处理后的氮化铝覆铝封装衬板在热循环前后的粗糙度对比相差不大，通过本方法，降低了镀层表面应力集中和镀层开裂情况，提高了氮化铝覆铝封装衬板在极端条件下的耐热循环可靠性。