-
公开(公告)号：CN117519391A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311645135.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低温电路中的阈值电压调节电路，包括电流源、参考源、MOSFET晶体管及运算放大器；所述电流源用于确定MOSFET晶体管的静态工作状态，使任何温度状态下的MOSFET晶体管都在固定电流下工作；所述参考源用于提供运算放大器的负输入端的输入，与低温下的栅源电压进行比较；所述MOSFET晶体管用于代表低温电路中所有MOSFET，表征低温下MOSFET晶体管的性能，通过调节所述MOSFET晶体管阈值电压即可调节低温电路中所有MOSFET晶体管阈值电压；所述运算放大器用于负反馈环路，放大低温带来的MOSFET晶体管阈值电压的变化量，反馈到MOSFET晶体管衬底端，从而降低因温度降低带来的阈值电压的升高。本发明在低温环境下降低电路中所有MOSFET晶体管的阈值电压，大大降低低温电路功耗。
-
公开(公告)号：CN114927572B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210385996.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。
-
公开(公告)号：CN114927572A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210385996.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。
-
公开(公告)号：CN111751414B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010524535.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , G01N27/36
Abstract: 本发明提供了一种辐照改性钒酸铋适配体光电化学传感器的制备方法及应用；本发明采用红外辐照处理BiVO4首次实现了外加偏压可调控的增强和抑制型的传感器，其具有高灵敏、高分辨的特性，同时同一体系的两种传感器，可以实现对难氧化和易氧化肿瘤标志物的检测，本发明设计的PEC适配体传感器的灵敏度是目前灵敏度最高的传感器，因此本发明设计的传感器在PSA早期的精确筛查，前列腺癌的治理过程中和术后动态检测中发挥更大的作用。同时对于其他癌症标志物AFP、CEA同样具有高灵敏的检测特性。另外本发明设计的两种传感器具有反应迅速、操作简单、检测的背景信号低等优点。
-
公开(公告)号：CN111816450A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010680754.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种能源转换复合器件及其制备方法；包括：上转换材料、光电子通路和光阴极；所述上转换材料为掺杂稀土离子Er3+,Yb3+的NaYF4薄膜，其用于实现红外吸收，荧光辐射；所述光电子通路为AZO薄膜，其用于创建电子迁移通道，提高光电化学能源转换材料的电子产率；所述光阴极为Cu2O薄膜，其用于生成还原性电子。本发明首次将AZO多晶薄膜引入到上转换耦合半导体光电化学能源转换器件中；本发明设计的光电子通路上转换耦合半导体光电化学能源转换器件对红外光具有高响应性，具有良好的光致发光特性，得益于光电子通路的存在本发明在红外光下的光电响应比目前报道的同类型器件有大幅的提升。因此本发明在太阳能电池领域、新能源领域都具有很好的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931570A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911279219.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q， 欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100-780℃，反应时间为1-10小时，流量范围为5-100sccm，压强范围为1-1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。
-
公开(公告)号：CN119307057A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411369769.0
申请日：2024-09-29
Abstract: 本发明属于电化学检测技术领域，涉及一种复合材料、电化学传感器、制备方法及应用。本发明提供了一种多壁碳纳米管/聚乙烯醇/磷钨酸复合材料，其由羧基化多壁碳纳米管、聚乙烯醇和磷钨酸构成。该复合材料中通过磷钨酸的引入可通过氢键作用与聚乙烯醇络合，形成稳定水凝胶架构，解决了多壁碳纳米管/聚乙烯醇复合材料成膜粘附性差、传感特性不稳定等重要问题。
-
公开(公告)号：CN117949503A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410113554.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 基于ZnO纳米阵列的PdNi合金氢气传感器及其制备方法，氢气传感器包括依次设置的基底层、介质层和气体感应层，所述基底层为氧化铟锡(ITO)，介质层为ZnO纳米阵列，所述的气体感应层为PdNi合金；制备方法为，首先在氧化铟锡ITO上制备ZnO种子层，根据得到的ZnO种子层，水热制备ZnO纳米阵列，根据得到的ZnO纳米阵列层，利用循环伏安法制备Pd/Ni合金层，得到基于ZnO纳米阵列的PdNi合金氢气传感器；解决了现有技术中工作温度高、工艺复杂、不利于大规模生产的问题，本发明具有工艺简单、探测范围广、低检测限、稳定性好、并且能在室温情况下工作的特点，有利于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN117790194A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410013533.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种基于n‑Si/Pt/Mo:BiVO4Z型异质结的水氧化光阳极及其制备方法，水氧化光阳极为层状，包括n‑Si衬底，在n‑Si衬底上依次负载了Pt层和Mo:BiVO4层；方法为，洗净的n‑Si在碱液中保温刻蚀，取出后用去离子水洗净，并用HF溶液去除表面的氧化层，在n‑Si表面得到正金字塔型结构，以形貌构筑后的n‑Si为衬底，在表面上磁控溅射Pt层，配置Mo:BiVO4前驱体溶液，将Mo:BiVO4前驱体溶液旋涂在Pt层表面，把pt层表面全部覆盖后烘干，高温退火后，在NaOH溶液中洗去多余的氧钒，得到n‑Si/Pt/Mo:BiVO4Z型异质结水氧化光阳极；本发明可防止后续的高温退火在硅表面形成厚氧化层而影响光电水氧化器件性能，提高了光电转换效率，具有制备方法简单、性能优越、过程可控性强的优点。
-
公开(公告)号：CN110931570B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911279219.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q，欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100‑780℃，反应时间为1‑10小时，流量范围为5‑100sccm，压强范围为1‑1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.048 seconds)
