-
公开(公告)号：CN1945365B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610142293.2
申请日：2006-06-16
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。
-
公开(公告)号：CN1933264A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610125774.2
申请日：2006-05-31
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01725 , G02F2001/0175 , G02F2001/01758
摘要： 一种光调制器包括第一波导层和势垒层、以及夹在该第一波导层和该势垒层之间的量子阱层，其中该量子阱层具有渐变组分，该渐变组分在最小带隙能量和该第一波导层和势垒层中至少一个的带隙能量之间改变该量子阱层的带隙能量。
-
公开(公告)号：CN1909312B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
-
公开(公告)号：CN1945365A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142293.2
申请日：2006-06-16
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。
-
公开(公告)号：CN1909312A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105465.9
申请日：2006-06-08
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/01766 , G02F2202/101 , G02F2202/102
摘要： 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
-
公开(公告)号：CN1874091A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610067676.8
申请日：2006-03-23
申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC分类号： H01S5/125 , B82Y20/00 , H01S5/12 , H01S5/183 , H01S5/3027 , H01S5/305 , H01S5/3402
摘要： 可以通过在掺杂级中引入周期性变化来制作用于量子级联激光器和中红外波长垂直空腔表面发射激光器的掺杂衍射光栅，所述掺杂级导致周期性的折射率变化。典型情况下，通过使用n型掺杂剂来实现掺杂。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.032 秒)
