公开(公告)号：CN101010793B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200580028778.2

申请日：2005-06-28

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 罗伯茨·T·F·范沙吉克 ,  普拉哈特·阿佳维 ,  埃里克·P·A·M·贝克斯 ,  马特吉·H·R·兰赫斯特 ,  米哈依尔·J·范杜里恩 ,  亚伯拉罕·R·贝尔克南德 ,  路易斯·F·费尼尔 ,  皮埃尔·H·沃尔里

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1273 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76879 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： 根据本发明的电子器件(100)包括电阻率可在第一值和第二值之间切换的存储材料层(107)。存储材料可以是相变材料。该电子器件(100)还包括一组纳米线(NW)，电连接该电子器件(100)的第一端子(172)与存储材料层(107)，从而使得能够从第一端子通过纳米线(NW)和存储材料层(107)向电子器件的第二端子(272)传导电流。每一纳米线(NW)在各自的接触面积与存储材料层(107)电接触。所有接触面积实质上相同。根据本发明的方法适于制造根据本发明的电子器件(100)。