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公开(公告)号：CN107026234A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611272921.9
申请日：2016-11-07
申请人： HGST荷兰公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1675 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 本文公开的实施例总体上涉及用于将电场聚焦在单元中心处的电阻式随机存取存储器(ReRAM)装置单元的电极结构及其制造方法。因此，可将非均匀金属电极沉积在ReRAM装置上，其随后在单元制造期间暴露于氧化或氮化工艺。电极结构可以是圆锥形或金字塔形，并且包括包含第一材料和第二材料的至少一个层，其中第一材料和第二材料的浓度基于电极内的位置而变化。形成金属电极轮廓，其有利于使单元中心作为具有最大电场的位置。因此，非易失性存储器组件的尺寸缩放和可靠性均增加。
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公开(公告)号：CN103515532B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310188800.6
申请日：2013-05-21
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 吴在敏
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1608 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1273 , H01L45/16 , H01L45/1666
摘要： 本发明提供一种能够实现多电平单元（MLC）的阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括：下电极，与开关器件连接，并且包括形成在下电极的顶部上的第一节点和第二节点以分隔开固定的间隔；相变材料图案，形成在第一节点和第二节点上；上电极，形成在相变材料图案上；导电材料层，形成在上电极的顶部和外侧壁上；第一接触插塞，形成在上电极的一个边缘，以与上电极和导电材料层连接；以及第二接触插塞，形成在上电极的另一个边缘，以与上电极和导电材料层连接。
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公开(公告)号：CN105940516A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580005856.0
申请日：2015-02-18
申请人： 密克罗奇普技术公司
CPC分类号： H01L45/122 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675
摘要： 本发明揭示一种形成电阻式存储器单元(例如CBRAM或ReRAM)(140)的方法，其包含：形成底部电极层(102A)；形成所述底部电极的暴露区域的氧化区域(110)；移除接近于所述氧化区域的所述底部电极层的区域以形成具有尖端或尖锐边缘区域(114A、114B)的底部电极；及使第一及第二电解质区域(120A、120B)及第一及第二顶部电极(122A、122B)形成于所述底部电极上以界定不同的第一及第二存储器元件。所述第一存储器元件界定从所述底部电极尖端区域的第一部分经由所述第一电解质区域而到所述第一顶部电极的第一传导纤丝/空位链路径，且第二存储器元件界定从所述底部电极尖端区域的第二部分经由所述第二电解质区域而到所述第二顶部电极的第二传导纤丝/空位链路径。
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公开(公告)号：CN105027312A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011450.9
申请日：2014-03-08
申请人： 密克罗奇普技术公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1273 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 一种CBRAM或ReRAM类型的电阻式存储器单元包含：顶部电极(222)；及沟槽形底部电极结构，其界定底部电极连接(200)及从邻近所述底部电极连接的第一侧壁区(214)延伸到尖端区(212)的侧壁(210)，其中背对所述底部电极连接的尖端表面(216)具有小于邻近所述底部电极连接的所述第一侧壁区的厚度的厚度。电解质切换区(220)布置于所述顶部电极与所述底部电极尖端区之间以提供用于在将电压偏置施加到所述电阻式存储器单元时形成从所述底部电极尖端表面(216)经由所述电解质切换区到所述顶部电极的导电细丝或空位链(226)的路径。
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公开(公告)号：CN103117359B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310049320.1
申请日：2013-02-07
申请人： 北京大学
CPC分类号： H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/56 , H01L27/1112 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1625 , H01L45/1666
摘要： 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。
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公开(公告)号：CN102272927B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080003876.1
申请日：2010-07-23
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 能泽克弥
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/222 , H01L27/249 , H01L43/12 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板(500)的上方的反应性传导材料(504)及非反应性传导材料(505)的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料(504)的侧面使规定长度的反应性传导材料(504)变化成绝缘物(801)，使非反应性传导材料(505)的侧面相对于反应性传导材料(504)的侧面突出而形成突起(804)的工序，绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理，反应性传导材料(504)是通过氧化处理或氮化处理发生化学反应而变化成绝缘物(801)的材料，非反应性传导材料(505)是通过氧化处理或氮化处理不变化成绝缘物(801)的材料。
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公开(公告)号：CN102292814B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201080005463.7
申请日：2010-02-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273
摘要： 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。
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公开(公告)号：CN103117359A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310049320.1
申请日：2013-02-07
申请人： 北京大学
CPC分类号： H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/56 , H01L27/1112 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1625 , H01L45/1666
摘要： 本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层。其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。
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公开(公告)号：CN101783390B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910132568.8
申请日：2009-04-07
申请人： 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份公司
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1675
摘要： 本发明公开了一种具有改善结构稳定性的存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包含一底电极包含一衬底部份及一柱状部份于该衬底部份之上，该柱状部份及该衬底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度小于该衬底部份的宽度。一存储元件于该底电极的该柱状部分的一上表面之上以及一顶电极于该存储元件之上。一介电间隔物与该柱状部分的该外表面连接，该底电极的该衬底部分的该外表面与该介电间隔物的一外表面自动对准。
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公开(公告)号：CN103000515A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110270585.5
申请日：2011-09-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人： 任万春
IPC分类号： H01L21/321 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L21/31053 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据该方法，在台阶状的底电极材料层上沉积了停止层，然后通过高深宽比工艺沉积绝缘材料层。先执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层。再执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。然后，在底电极材料层的垂直部分上方形成相变材料以形成相变元件。通过设置停止层，将化学机械抛光工艺分为两个阶段。因此在对底电极材料层进行的第二化学机械抛光工艺过程中，能够精确控制抛光过程，避免底电极过多不必要的损失。
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