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公开(公告)号：CN105917438A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480073422.X
申请日：2014-11-21
申请人： TEL艾派恩有限公司
发明人： 马修·C·格温
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/30 , H01J37/08 , H01J2237/0812 , H01J2237/317
摘要： 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。
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公开(公告)号：CN101416295A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780011762.X
申请日：2007-04-03
申请人： 电子线技术院株式会社
发明人： 金浩燮
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
摘要： 本发明公开了一种用于利用电子束检查半导体器件的通孔的装置和方法。该装置包括电子束辐射装置、电流测量装置和电流测量装置和数据处理装置。电子束辐射装置照射相应的电子束以检查多个检查对象孔。电流测量装置通过位于孔下面的导电层或通过导电层和单独的检测仪测量电流，该电流通过辐射从电子束辐射装置照射的电子束而产生。数据处理装置处理通过电流测量装置的测量而获得的数据。
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公开(公告)号：CN107966464A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710946654.7
申请日：2017-10-12
IPC分类号： G01N23/2202 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/261 , G01N1/42 , H01J37/18 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2602 , H01J2237/28 , H01J2237/317 , G01N23/2202
摘要： 一种使用带电粒子显微镜执行低温试样的表面改性的方法，其包括：-真空室；-试样保持器；-粒子-光柱，该方法包括以下步骤：-将试样引入真空室中，将其提供在试样保持器上并将其保持在低温温度；-采用至少一个真空泵以将真空室抽空；-激活所述束并将其引导到所述试样的一部分上以便对其表面进行改性，另外包括以下步骤：-在真空室中提供薄膜监测器，并且至少将其检测表面保持在低温温度；-使用所述监测器来测量所述室中的冷冻冷凝物的沉淀速率值，并且使用该值作为触发器来执行以下动作中的至少一个：当所述值下降到第一预定阈值以下时，启动所述表面改性；如果所述值上升到第二预定阈值以上，则中断表面改性。
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公开(公告)号：CN105917438B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480073422.X
申请日：2014-11-21
发明人： 马修·C·格温
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/30 , H01J37/08 , H01J2237/0812 , H01J2237/317
摘要： 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。
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公开(公告)号：CN1942829A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011820.X
申请日：2005-06-02
申请人： 日本先锋公司
发明人： 小岛良明
IPC分类号： G03F7/20 , G11B9/10 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B7/261 , G11B9/10 , G11B11/10582 , H01J37/3174 , H01J2237/24405 , H01J2237/24542 , H01J2237/30438 , H01J2237/30472 , H01J2237/317
摘要： 在电子束记录装置的记录之前进行的射束位置变动的测定时，能够进行稳定且准确的变动量的测定。在记录之前测定射束点(Ep)的位置变动的测定装置(10)，具备：刀口(11)，其配置在射束点(Ep)的照射位置；检测单元(法拉第杯(12)等)，其检测通过刀口(11)照射的电子束(E)；滤波器单元(高截止滤波器(14)等)，其从该检测单元的输出中除去测定对象的变动频率成分；以及控制单元(15)，其根据该滤波器单元的输出，控制电子束(E)的基准位置，使得射束点(Ep)的中心位于刀口(11)的末端位置，测定装置(10)根据射束点(Ep)的中心从刀口(11)的末端偏离时的检测单元的输出变化，测定射束点(Ep)的位置变动。
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公开(公告)号：CN103325651B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310089789.8
申请日：2013-03-20
CPC分类号： H01J37/3002 , B05B1/005 , B05B1/30 , F16K11/0716 , H01J37/02 , H01J37/023 , H01J37/16 , H01J2237/006 , H01J2237/317
摘要： 公开了一种多种气体喷射系统。一种多位置阀被用于控制来自多个气体源的气流的目的地。在一个阀位，气体在引入样品真空室之前先流向隔离的真空系统，在其中可以调节流速和混合。在另一个阀位，预混合的气体从隔离的真空室流出并经过阀针流入样品真空室内。
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公开(公告)号：CN104094374B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380007943.0
申请日：2013-02-18
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/302
CPC分类号： C23C14/30 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/317 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01J2237/334
摘要： 本发明的目的在于提供构造简单且能够设定高精密的加工范围的离子铣削装置。为了实现所述目的，提出了一种离子铣削装置，该离子铣削装置包括试样保持架，该试样保持架保持试样和对朝向该试样的离子束的照射的一部分进行限制的掩膜，该试样保持架包括：第一接面，其与位于所述离子束的通过轨道侧的试样的端面接触；以及第二接面，其以使所述掩膜位于比该第一接面远离所述离子束的位置的方式与所述掩膜的端面接触。
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公开(公告)号：CN100552866C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580009119.4
申请日：2005-08-31
申请人： 日新意旺机械股份有限公司
发明人： 安东靖典
IPC分类号： H01J37/317 , G02F1/1337
CPC分类号： H01L21/68764 , G02F1/1337 , H01J2237/317
摘要： 一种离子束照射装置，具有真空室(10)、离子源(2)、衬底驱动机构(30)、旋转轴(14)、臂(12)以及电机。离子源(2)被布置在真空室(10)的内部，并且发射宽度比衬底(6)大的离子束(4)到衬底(6)。衬底驱动机构(30)往复驱动真空室(10)中的衬底(6)。旋转轴(14)的中心轴(14a)位于朝向衬底的与离子源(2)分离的位置，并且基本上与衬底的表面平行。臂(12)被布置在真空室(10)的内部，并且通过旋转轴(14)来支撑离子源(2)。电机被布置在真空室(10)的外部，并且往复地旋转旋转轴(14)。
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公开(公告)号：CN1154179A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN95193523.2
申请日：1995-06-02
申请人： 日新电机股份有限公司
发明人： 米歇尔·A·格拉 , 希尔顿·F·格拉维斯 , 河合视 , 内藤胜男 , 长井宣夫
IPC分类号： H01J37/141
CPC分类号： H01J37/1475 , H01J2237/317
摘要： 一种用于在一所选表面上进行离子束扫描的磁偏转装置(34)，包括：一个具有带各自扫描线圈(58)和各自极面(52)的磁极的磁扫描结构(50)，该磁极面限定了离子束通过(13)其间的一个缝隙(54)；一个与扫描线圈(58)连接的初级电流源用于向扫描线圈(58)施加一个激励电流，以在所述缝隙(54)中产生一极性交替变化为时间的函数的、实质为单极的振荡磁场(56)，使得以进行离子束的扫描(13)，该实质单极性的磁场(56)具有充分大于零的强度，以便当离子束(13)正被扫描跨过所选表面时，防止离子束(13)的横截面在尺寸上出现相当大的起伏。
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公开(公告)号：CN105264632B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480032691.1
申请日：2014-04-28
申请人： 株式会社日立高新技术
CPC分类号： H01J37/20 , G01K1/14 , G01N1/32 , H01J37/30 , H01J37/3002 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/002 , H01J2237/026 , H01J2237/08 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20271 , H01J2237/20285 , H01J2237/317
摘要： 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
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