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公开(公告)号:CN113410378B
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202110482739.0
申请日:2021-04-30
申请人: 山东大学
IPC分类号: H01L41/333 , H01L41/335 , H01L41/187 , C30B33/00
摘要: 本发明涉及一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法,该方法对压电晶体施加载荷外力,使压电晶体表面获得周期性纳米级图形化压痕结构,大大提高了压电晶体的压电系数,由17pC/N提高到44pC/N,采用的用纳米压痕技术直接在压电晶体表面制备大面积周期性纳米压痕结构,成本低,操作简便,并且无需昂贵的设备。
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公开(公告)号:CN114050216A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111260305.2
申请日:2021-10-28
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: H01L41/331 , H01L41/335
摘要: 本发明属于柔性电子制备相关技术领域,其公开了一种柔性电子器件及其激光加工方法,包括以下步骤:(1)在透明基底上制备牺牲层,并通过图案化工艺在牺牲层上制备图案化结构;牺牲层的材料的热膨胀系数与图案化结构的材料的热膨胀系数之差大于10‑5K‑1;(2)在牺牲层暴露的区域及图案化结构上沉积得到功能层;(3)在功能层上沉积衬底层以得到柔性带电子器件的半成品,并采用激光束对透明基底进行扫描,激光束穿过透明基底而作用于半成品的其他结构;(4)对激光作用后的半成品进行机械分离以得到图案化的柔性电子器件。本发明同时实现了功能层的图案化及剥离,简化了工艺。
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公开(公告)号:CN108346737B
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201810127868.6
申请日:2018-02-08
申请人: 嘉兴晶控电子有限公司
IPC分类号: H01L41/335
摘要: 本发明公开了压电石英基片生产工艺,包括以下工艺步骤,1)粘料;2)改圆;3)化料;4)清洗;5)研磨:研磨用模具包括底模和上模,上模用于固定圆形基片,底模中心固定有转动轴,以该转动轴为圆心在底模上设置同心的内圈、外圈、中间圈,内圈和外圈的屈光度相同,中间圈的屈光度和内圈屈光度不同,在转动轴转动时,圆形基片由上模压在底模上,上模自转同时沿外圈半径方向直线运动;6)对步骤5)处理后的圆形基片进行清洗、脱水处理;7)对步骤6)处理后的圆形基片在分频机进行分频,分频完成后作清洗、脱水处理;8)腐蚀。在研磨时,采用具有两种屈光度的底模,可使得基片在一次研磨过程中磨制出两种屈光度,生产效率高。
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公开(公告)号:CN112599655A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011443320.6
申请日:2019-03-13
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L41/33 , H01L41/312 , H01L41/313 , H01L41/335 , H01L41/18
摘要: 本发明涉及一种多功能单晶薄膜、其制备方法和谐振器,包括如下制备步骤:选择至少两种不同材质的小尺寸压电单晶晶圆,在各小尺寸压电单晶晶圆的下表面注入高能量离子,在衬底的上表面划分出与各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆匹配的键合区域,在各键合区域内制备键合层;将各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆的下表面叠放于一一对应的键合区域内,进行键合处理和单晶劈裂处理,移除上压电层,在大尺寸衬底上拼接不同材质的小尺寸单晶薄膜;本发明提供的多功能单晶薄膜的制备方法,可以在同一衬底上集成不同材质的单晶薄膜,可以为多种膜器件提供多功能性单晶薄膜。
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公开(公告)号:CN112088439A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201980019317.0
申请日:2019-02-15
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , C23C14/08 , C23C14/10 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , H01L41/053 , H01L41/335 , H03H9/25
摘要: 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时,使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备:支撑基板3;压电性材料基板1(1A),其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成;以及接合层2,其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合,并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。
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公开(公告)号:CN110379916A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910603204.7
申请日:2019-07-05
申请人: 中国科学院物理研究所
IPC分类号: H01L41/277 , H01L41/335 , H01L41/337
摘要: 一种制备压电陶瓷元件的方法,包括如下步骤:(1)对长方体形的压电陶瓷片的两条对角棱进行圆角处理;(2)对经过步骤(1)处理后的压电陶瓷片的表面进行金属化;(3)对步骤(2)得到的压电陶瓷片的、与经过圆角处理的两条对角棱平行的另外两条对角棱进行倒角处理;(4)整合步骤(3)得到的压电陶瓷片,形成带有圆角槽和倒角槽的压电陶瓷堆;(5)对所述圆角槽进行导电保护并且对所述倒角槽进行绝缘保护;(6)对经过步骤(5)处理后的压电陶瓷堆的表面进行金属化,以形成导电层;(7)去掉经过步骤(6)处理后的压电陶瓷堆的上表面和下表面处具有倒角的位置处的导电层。本发明的方法不需要过多焊接,增加了压电陶瓷元件的安全性。
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公开(公告)号:CN108346737A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810127868.6
申请日:2018-02-08
申请人: 嘉兴晶控电子有限公司
IPC分类号: H01L41/335
摘要: 本发明公开了压电石英基片生产工艺,包括以下工艺步骤,1)粘料;2)改圆;3)化料;4)清洗;5)研磨:研磨用模具包括底模和上模,上模用于固定圆形基片,底模中心固定有转动轴,以该转动轴为圆心在底模上设置同心的内圈、外圈、中间圈,内圈和外圈的屈光度相同,中间圈的屈光度和内圈屈光度不同,在转动轴转动时,圆形基本由上模压在底模上,上模自转同时沿外圈半径方向直线运动;6)对步骤5)处理后的圆形基片进行清洗、脱水处理;7)对步骤6)处理后的圆形基片在分频机进行分频,分频完成后作清洗、脱水处理;8)腐蚀。在研磨时,采用具有两种屈光度的底模,可使得基片在一次研磨过程中磨制出两种屈光度,生产效率高。
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公开(公告)号:CN115377282A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211007198.7
申请日:2022-08-22
申请人: 三三智能科技(日照)有限公司
IPC分类号: H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/317 , H01L41/335 , H01L21/66
摘要: 本发明公开了一种能够提升介电性能的压电薄膜生产工艺,具体涉及功能材料制备技术领域。通过对压电薄膜的介电系数以及加工环节中流程对压电薄膜介电系数的影响进行分析,可以得出压电薄膜的结晶相本征介电性和压电薄膜的尺寸效应是介电特性主要的变化依据,根据分析结果,进行了初始薄膜制备、单轴拉伸、高压极化、磁控溅射等制备工艺,对每项工艺步骤的参数进行探索,并对PVDF敏感材料进行传感器封装,进行了传感器产品非常重要的压电系数参数的检测,其静态压电系数d33达到13.1PC/N,满足使用要求,获得可以实际工程配套的工程化产品,提高了对压电薄膜的自动化加工效果,且在保障加工效率的同时对压电薄膜的介电性起到了保障的作用。
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公开(公告)号:CN113410378A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110482739.0
申请日:2021-04-30
申请人: 山东大学
IPC分类号: H01L41/333 , H01L41/335 , H01L41/187 , C30B33/00
摘要: 本发明涉及一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法,该方法对压电晶体施加载荷外力,使压电晶体表面获得周期性纳米级图形化压痕结构,大大提高了压电晶体的压电系数,由17pC/N提高到44pC/N,采用的用纳米压痕技术直接在压电晶体表面制备大面积周期性纳米压痕结构,成本低,操作简便,并且无需昂贵的设备。
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公开(公告)号:CN109742228B
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201910010496.3
申请日:2019-01-07
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H01L41/335 , H01L41/337 , H01L41/338 , H01L41/37 , H01L41/08 , H01L41/22
摘要: 本发明公开了一种压电复合材料及驱动器的制备方法。该制备方法包括:将压电材料粘贴在切割板上;采用线切割机将压电材料切割成第一设定厚度的薄片状压电材料,记为第一薄片状压电材料;对第一薄片状压电材料进行抛光打磨,获得第二设定厚度的薄片状压电材料,记为第二薄片状压电材料;将第二薄片状压电材料粘贴于切割承载膜上,并采用绷盘固定;对切割承载膜上的第二薄片状压电材料进行机械切割,制得压电相体积分数连续可调的压电阵列;采用聚合物基体对压电阵列中压电相之间的间隙进行浇注,并固化成型;取下切割承载膜,得到压电复合材料。本发明提供的压电复合材料及驱动器的制备方法具有制备工艺简单、效率高的特点。
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