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公开(公告)号：CN118407114A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743571.8
申请日：2024-06-11
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法，包括加料、抽气、通CO、降温、冷却，即可制备砷化镓单晶晶棒。通过向熔融的砷化镓中通入CO，提高CO和砷化镓的接触面积，提高渗碳效果，从而提高砷化镓单晶的电学均匀性，并且本发明提供的制备工艺简单，制得的砷化镓单晶晶棒发生位错的可能性小，成品率高，成品质量好。此外，本发明还提供了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长装置，通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同直径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率、提高成品率有利于推广和市场化。
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公开(公告)号：CN113502546B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110760633.2
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚，使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场，调节温度梯度，开始合成；D、合成完毕后，进行晶体生长。采用本发明提供的方法，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN114232069B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210173689.2
申请日：2022-02-25
申请人： 北京通美晶体技术股份有限公司
摘要： 本申请涉及GaAs单晶硅技术领域，具体公开了一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法。一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅的制备方法，包括如下步骤：S1：采用水平定向凝固法合成GaAs多晶；S2：将坩埚、石英安瓿清洗干净备用；S3：将GaAs籽晶固定在坩埚籽晶槽内，取GaAs多晶和掺杂剂加入坩埚内，掺杂剂为Zn、Cd、Be、Mg中的至少一种；S4：在坩埚内加入适量B2O3封闭，将坩埚放入石英安瓿内，检验真空度合格后将封闭好的石英安瓿放入生长炉内；S5：采用VGF法生长工艺生长完毕后慢速冷却即得。本申请的Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅具有优良的电学性能。
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公开(公告)号：CN110219046B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910471346.2
申请日：2019-05-31
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及生长方法，该装置包括炉体和旋转下降系统，所述的炉体包括石英炉管、加热装置，石英炉管内空腔为晶体生长腔，加热装置设置在石英炉管外，在石英炉管的加热装置外套设有保温套管，在晶体生长腔内设置有晶体生长坩埚，晶体生长坩埚的底部为籽晶袋，籽晶袋中设置有CsPbBr3籽晶；所述的旋转下降系统包括长晶杆和驱动长晶杆旋转和下降的驱动装置，籽晶袋固定在长晶杆上。利用本发明的装置生长得到的CsPbBr3单晶尺寸大，晶体透明性好，并且该装置有利于晶体生长过程中杂质的排出，采取缓慢的降温速率，避免了晶体的开裂。
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公开(公告)号：CN112176399A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010998855.3
申请日：2020-09-21
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含掺杂元素的单晶的制备方法及其制备装置，属于晶体生长领域。本发明将籽晶、掺杂剂、多晶以及液封剂加入第一坩埚中并按常规VGF法进行长晶，在停止长晶前，将位于第一坩埚上方的第二坩埚内的多晶熔化并流入第一坩埚内进行长晶，这样调整了第一坩埚中熔体的掺杂元素浓度，从而改善生长出的晶体中分凝系数
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公开(公告)号：CN110219046A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910471346.2
申请日：2019-05-31
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及生长方法，该装置包括炉体和旋转下降系统，所述的炉体包括石英炉管、加热装置，石英炉管内空腔为晶体生长腔，加热装置设置在石英炉管外，在石英炉管的加热装置外套设有保温套管，在晶体生长腔内设置有晶体生长坩埚，晶体生长坩埚的底部为籽晶袋，籽晶袋中设置有CsPbBr3籽晶；所述的旋转下降系统包括长晶杆和驱动长晶杆旋转和下降的驱动装置，籽晶袋固定在长晶杆上。利用本发明的装置生长得到的CsPbBr3单晶尺寸大，晶体透明性好，并且该装置有利于晶体生长过程中杂质的排出，采取缓慢的降温速率，避免了晶体的开裂。
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公开(公告)号：CN109056052A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811149528.X
申请日：2018-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： C30B11/06 , C30B11/006 , C30B29/10
摘要： 本发明公开了一种砷锗镉单晶生长的锗元素补偿方法，该方法采用由单晶生长坩埚、锗元素补偿装置和六温区生长炉组成的生长装置，对砷锗镉单晶生长的锗元素补偿进行控制。将高纯度的CdGeAs2多晶原料放入带有Ge元素补偿装置的坩埚中，并进行真空密封，再放入六温区生长炉中，通过精确控温，实现了CdGeAs2单晶生长和Ge元素的补偿，使所生长单晶上下两端Ge元素均匀，避免了因单晶中Ge元素不同而形成的性能不一致现象，该方法易实现，从而有效增加了单晶体的可利用率，降低了生长成本。
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公开(公告)号：CN106077535B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610556508.9
申请日：2016-07-14
申请人： 深圳市烯世传奇科技有限公司
摘要： 本发明提供一种石墨烯改性单晶铜的方法。该石墨烯改性单晶铜的方法包括以下步骤：(1)在保护气氛下，将粗铜置于坩埚中加热熔化，得到铜液；(2)所述铜液引入到铸型中，加热、加入石墨烯粉体，搅拌；(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固，并连续牵引连铸，得到铜锭；(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉，制得单晶铜线材。本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性，且信号传输稳定和可靠，电阻率比单晶铜降低25％以上。
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公开(公告)号：CN104141170A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310166077.1
申请日：2013-05-08
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8O20晶体，通过本发明所述方法获得的晶体机械性能好，不易碎裂，不潮解，易加工。
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公开(公告)号：CN1942611B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580011074.4
申请日：2005-03-30
申请人： 住友电气工业株式会社 , 森勇介
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L21/208
CPC分类号： C30B9/08 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , C30B29/403
摘要： 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。
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