公开(公告)号：CN116545228A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310320135.5

申请日：2023-03-29

申请人： 上海数明半导体有限公司

发明人： 周鑫 ,  邵滨 ,  刘涛

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/38

摘要： 本发明提供了一种开关电路、开关电源及控制方法，通过电压输入端连接至第一开关，第一开关和第二开关连接于开关节点，第二开关接地，开关节点分别连接至电感以及电压过零检测模块，电感分别连接至电容以及负载，第一控制模块分别连接至电压过零检测模块以及第二开关信号输入端，第一开关信号输入端连接至第一开关的方式；在第一开关信号输入端控制第一开关的通断的同时，利用电压过零检测模块检测第二开关两端的差分电压，仅当第二开关信号以及所述差分电压的大小都符合需求时，控制第二开关导通，从而本发明可以在确保开关电路正常工作的情况下，在负载电流为轻载电流的情况下，实现第二开关零电压开启，减小开关功耗，提升电路效率。

公开(公告)号：CN116317999A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211096747.2

申请日：2022-09-08

申请人： 上海数明半导体有限公司

发明人： 胡锦通 ,  刘涛 ,  邵滨

IPC分类号： H03G3/20 ,  H02J3/38 ,  H02S40/30

摘要： 本发明提供了一种自动增益放大器及光伏关断器，该放大器包括：预增益放大器、带通滤波器、PGA放大器；预增益放大器的输入端作为自动增益放大器的输入端；预增益放大器的输出端连接带通滤波器的输入端，带通滤波器的输出端连接PGA放大器的输入端；PGA放大器的输出端连接自动增益放大器的输出端。本发明的技术方案，可以同时满足噪声、失配、功耗的要求。

公开(公告)号：CN116317796A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310312943.7

申请日：2023-03-27

申请人： 上海柏楚数控科技有限公司

发明人： 卢琳 ,  陈千军 ,  史大真 ,  章胜平

IPC分类号： H02P21/22 ,  H02P21/14 ,  H02P27/08 ,  H02P27/12

摘要： 本发明提供了种并行采样电流环架构及电机控制方法；该架构包括：输入信号单元，用于根据电流环指令以及估算反馈信号的差值进行第处理，以形成输入信号；逆变电流单元，用于对输入信号进行逆变处理，得到逆变电流；电流反馈单元，用于在采样控制模块的控制下在一个控制周期内对逆变电流依次进行N次采样，并对每次电流采样的结果均进行模数转换和第二处理，得到并输出每个采样电流对应的反馈电流信号；电流估测单元，用于依据预设的电压与电流的对应规则将输入信号转变成估算反馈信号；还用于依据每次接收到的反馈电流信号对预设的电压与电流的对应规则进行校正；其中：逆变电流分别在控制周期的中间时刻和终点时刻输出至电机，以控制电机的转速。

公开(公告)号：CN116317044A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310149343.3

申请日：2023-02-09

申请人： 深圳市欧姆微电子有限公司

发明人： 林鸿昇

IPC分类号： H02J7/06 ,  H02J7/00 ,  H02M7/04 ,  H02M3/155 ,  H02M1/092 ,  H02M1/088

摘要： 本发明提供了一种多供电端口控制电路、充电设备及主电压变化的控制方法，通过每个供电端口均分别通过对应的第二级功率变换器耦接至第一级功率变换器的输出端；第一分压电阻耦接至第一级功率变换器的输出端，第二分压电阻一端接地，另一端分别耦接至第一分压电阻以及调节电阻，调节电阻通过一开关接地，反馈模块分别耦接至第二分压电阻以及第一级功率变换器的方式，使得仅在对应的供电端口接入的设备所需电压超出第一级功率变换器的供电能力范围时，控制模块控制开关闭合，以调节第一级功率变换器输出的电压大小。从而本发明在保证设备正常充电的同时，最大程度兼顾主电压输出的固定电压与设备所需电压之间的差距的缩小，进而提高充电效率的问题。

公开(公告)号：CN116314318A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310211079.1

申请日：2023-03-07

申请人： 复旦大学

发明人： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。

公开(公告)号：CN116314317A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310211066.4

申请日：2023-03-07

申请人： 复旦大学

发明人： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/207

摘要： 本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。

公开(公告)号：CN116313796A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310223423.9

申请日：2023-03-09

申请人： 复旦大学

发明人： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  潘茂林 ,  王强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/15

摘要： 本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaN/AlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaN HEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaN HEMT器件性能的效果。

公开(公告)号：CN116299421A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310333767.5

申请日：2023-03-31

申请人： 上海昱感微电子科技有限公司

发明人： 钟子果

IPC分类号： G01S13/86 ,  H04J3/06 ,  H04Q9/00

摘要： 本发明提供了一种多传感器的感知同步的方法，包括：获取第一探测时刻；根据第一探测时刻，控制第一传感器在第一探测时刻进行探测感知；获取第二探测时刻；根据第二探测时刻，控制第二传感器在第二探测时刻进行探测感知；其中，第一探测时刻与第二探测时刻被配置为：当第二传感器与第一传感器分别在第二探测时刻与第一探测时刻进行探测感知时，第二传感器探测感知的时间窗口与第一传感器探测感知的时间窗口对齐。该技术方案解决了如何使得各传感器的探测感知动作几乎同时发生(各传感器时间窗口对齐且探测感知的时间差远远小于现有技术可以达到的时间差)，以实现各传感器采集的探测信息反映同一探测场景的效果的问题。

公开(公告)号：CN116247096A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211034.4

申请日：2023-03-07

申请人： 复旦大学

发明人： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中：阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中：N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。

公开(公告)号：CN116247094A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211017.0

申请日：2023-03-07

申请人： 复旦大学

发明人： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄海 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+型掺杂区覆盖漏极金属层的下方区域，且延伸到第一掺杂区域；第一掺杂区域表征了栅极金属层与漏极金属层之间的下方区域。该方案解决了缓冲层产生漏电通道导致的器件的漏电流的加剧的问题，进而避免出现器件提前击穿现象，实现了器件性能的提高。