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公开(公告)号:CN104685456A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380043082.1
申请日:2013-07-09
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G01J1/0437 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2103/50 , G01J1/0411 , G02B27/00 , G02B27/0093 , G02B27/46 , G06F1/1684 , G06F1/1686 , G06F1/169 , G06F3/0304 , G06F3/0425 , G06F3/04847 , G06F2203/0339 , G02B27/20 , G03B21/54
Abstract: 本发明揭露交互控制系统、其制造方法以及并入交互控制系统的装置的许多实施例。在一实施例中,一种系统包括:耐光材料;透光孔,其以透光图案穿透过该耐光材料;以及透镜,其安置成与该透光图案相邻。
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公开(公告)号:CN101980818B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN200980111742.9
申请日:2009-03-24
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor: 玛密特·E.·爱尔帕 , 布莱恩·强汉森 , 大卫·雀尔德
IPC: B23K26/073 , B23K26/364 , B23K26/0622
CPC classification number: B23K26/0734 , B23K26/0622 , B23K26/364
Abstract: 使用单遍的激光束以于材料上切割多个宽度的沟渠的系统及方法。第一系列的激光脉冲是使用第一点尺寸按第一切割速度切割该材料的一工作表面。于自第一沟渠宽度至第二沟渠宽度的一转变区域,第二系列的激光脉冲是随自第一切割速度至第二切割速度的逐渐改变而依序改变点尺寸。然后,第三系列的激光脉冲是使用第二点尺寸按第二切割速度继续切割该工作表面。该种方法提供于转变区域的提高的深度控制。一种系统于激光束路径使用一可选择性调整的光学构件,通过调整关于工作表面的一聚焦平面的位置以快速改变点尺寸。
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公开(公告)号:CN104114317A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201380007417.4
申请日:2013-01-17
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor: 张海滨
IPC: B23K26/146 , B23K26/38 , B23K26/402 , C03B33/09
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C03B33/091
Abstract: 使用被转变成一划痕射束及一分裂射束的一单一激光束来分离非金属材料。一系统包含用于产生一激光束的一单一激光源及用于将该激光束转变成具有一第一平均功率的一划痕射束及具有第二平均功率的一分裂射束的一射束分离器。该射束分离器沿着一第一路径将该划痕射束导引至一非金属基板上的一划痕线,并且在与该划痕射束间隔开的一位置处沿着一第二路径将该分裂射束导引至该非金属基板上。该划痕射束沿着该划痕线快速地加热该非金属基板。一淬火子系统将一股冷却流体施加至该非金属基板以沿着由该划痕射束加热的该划痕线传播一微裂纹。该分裂射束快速地再加热由该股冷却流体淬火的非金属基板以沿着该微裂纹分离该非金属基板。
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公开(公告)号:CN102272914B
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN200980153197.X
申请日:2009-12-21
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor: 乔瑟夫·G·法兰克尔
CPC classification number: H02K41/03 , G03F7/70716 , G03F7/70758 , H02K7/09 , H02K2201/18 , H02N15/00
Abstract: 一种经磁性漂浮的整体平台定位系统,其中含有多个线性三相马达以及经连接于该整体平台而与一铁磁基底进行互动的线圈绕线。该等线性三相马达可经启动以提供在一X轴方向上的移动、在一Y轴方向上的移动以及绕于一Z轴上的转动。该整体平台是经漂浮于一空气承载上。该等多条经连接于该整体平台的线圈绕线可用以磁性预载该空气承载。该等多条线圈绕线可经启动以提供在一Z轴方向上的移动,以及该整体平台绕于该X轴及绕于该Y轴的转动。
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公开(公告)号:CN101983421B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN200980111255.2
申请日:2009-03-24
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
CPC classification number: H01S3/1305 , B23K26/0622 , H01S3/0057 , H01S3/102
Abstract: 以激光处理例如半导体硅片与其它材料的工件,包括:选择所处理目标,其对应于与一预先界定时间脉冲轮廓有关的一目标种类。该时间脉冲轮廓包括:一第一部份以界定一第一时间期间,以及一第二部份以界定一第二时间期间。一种方法包括:根据此等激光系统输入参数以产生一激光脉冲,所述参数被组态以依据该时间脉冲轮廓成形该激光脉冲;侦测所产生的该激光脉冲;将所产生的该激光脉冲与该时间脉冲轮廓比较;以及根据该比较调整所述激光系统输入参数。
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公开(公告)号:CN104040359A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201280063983.2
申请日:2012-11-01
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor: 席亚朗·约翰·派崔克·欧康纳 , 雪恩·希利雅德
CPC classification number: G01N1/22 , G01J3/0202 , G01J3/0286 , G01J3/0291 , G01J3/443 , G01N21/84 , H01J49/0463
Abstract: 本发明揭示一种可包括烧蚀腔室本体的设备,其具有一传输窗并界定经组态以容纳可相对于该传输窗移动的一目标的一容纳区域。一气溶胶传输导管经组态以沿着一基本上笔直的输送路径将该容纳区域内所产生的一气溶胶输送至一分析系统的一样本接收区域。
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公开(公告)号:CN103959042A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280057991.6
申请日:2012-12-21
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: G01N21/25
CPC classification number: H01J49/0004 , H01J49/0036 , H01J49/0463 , H01J49/105
Abstract: 本发明会将光谱数据和一样本上的实体位置产生关联。一激光射束会沿着相对于放置在一样本腔室之中的样本的一射束轨道被扫描。该激光射束会沿着该射束轨道从该样本处分解材料,以在该样本腔室里面产生已分解的材料的浮质。一流体会通过该样本腔室,以便将该已分解的材料运送至一光谱仪,用以决定沿着该射束轨道的一选定元素的光谱数据数值。该光谱数据数值会和沿着该射束轨道的该样本的个别位置产生关联,而且包含沿着该射束轨道的个别位置(该材料已在该位置处被该激光射束分解)的样本的至少一部分的一影像会被显示。该影像在该等光谱数据数值的相关联位置处包含该等光谱数据数值的表示符。
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公开(公告)号:CN103946959A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201280049361.4
申请日:2012-08-27
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , B23K26/382 , B23K26/364 , B23K26/386 , B23K26/402
CPC classification number: B23K26/00 , B23K26/364 , B23K26/382 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2101/35 , B23K2103/50 , B23K2103/52 , B44C1/22 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/76898 , Y10S438/94 , Y10T428/24273
Abstract: 一种在一基板内形成一孔隙(例如,一通孔、一盲孔、一渠沟、一对准特征,等)的方法包括用一激光束照射一基板以形成具有一侧壁的一激光加工特征。随后处理该激光加工特征以改变该激光加工特征的至少一特性(例如,该侧壁的表面粗糙度、直径、锥度、纵横比、横截面轮廓,等)。可处理该激光加工特征以借由执行使用含有HNO3、HF及视情况选用的乙酸的蚀刻剂溶液的各向同性湿式蚀刻制程而形成该孔隙。
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公开(公告)号:CN103733020A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280037171.0
申请日:2012-07-25
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
Inventor: 强纳森·D·哈德曼 , 席亚朗·约翰·派崔克·欧康纳 , 杰·威尔金斯
CPC classification number: G01N23/225 , H01L22/12 , H01L33/0095
Abstract: 一种特征化对象的方法包括判定该对象内一量测点处该对象的深度向组成。与该量测点相邻之一区域内对象的特性可视情况基于该判定来估计。另一种特征化对象的方法包括将一对象的至少一部分安置于一计量工具的一量测区域内,将该对象的一特征与该量测区域内一指定量测点的位置相对于彼此对准,以及执行占据该量测点的该对象的一部分的组成分析。亦揭示了用于执行此等方法的各种设备,以及基于此等方法监测制造制程的方法。
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公开(公告)号:CN103477427A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280014991.8
申请日:2012-03-23
Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01S3/102 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K26/705 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01S3/0057 , H01S3/1305 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 量身定做的激光脉冲波形用于处理工件。在芯片粘结薄膜(DAF)上激光划片半导体设备晶圆例如可使用不同的量身定做的激光脉冲波形来向下切割设备层到半导体基板、划片所述半导体基板、切断下面的所述DAF和/或后处理所述上芯片沿以增大芯片断裂强度。不同的单一形状激光脉冲列可用于相应的方法步骤或激光束在切割线上的平移。在另一实施方案中,切割半导体设备晶圆只包括使用混合形状激光脉冲列来沿切割线单次平移激光束,所述混合形状激光脉冲列包括彼此不同的至少两个激光脉冲。另外或在其它实施方案中,可实时选择一个或多个量身定做的脉冲波形并向所述工件提供所述一个或多个量身定做的脉冲波形。所述选择可基于传感器反馈。
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