一种曝光装置
    1.
    发明公开
    一种曝光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN109683446A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201910092052.9

    申请日:2019-01-30

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明涉及曝光技术领域,尤其是指一种曝光装置,其包括机架,所述机架上设置有曝光室,所述曝光室包括工作台,所述工作台的上方和下方均设置有曝光机构;所述工作台的一侧设置有用于对物料进行粗定位的粗定位机构,工作台上还设置有用于对物料进行精定位的精定位机构;所述工作台的中部设置有显露口,所述工作台上设置有第一调整平台以及第一调整机构;所述第一调整平台上设置有第二调整平台以及第二调整机构。本发明结构简单、设计合理,提高物料曝光的精确度,提高品质的通过率,而且工作效率高,第一调整平台和第二调整平台可以实现单独调节和联动调节,方便对曝光机构与物料进行精确菲林对位,提高精确度,使用灵活、方便。

    曝光装置以及物品的制造方法

    公开(公告)号:CN109100920A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810642012.2

    申请日:2018-06-21

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明涉及曝光装置及物品的制造方法。提供曝光装置,具有:载置台,保持基板使该基板移动;控制部,控制载置台;第1测量部,在被载置台保持的基板的拍摄区域到达对拍摄区域曝光的曝光区域之前测量拍摄区域的高度方向的位置;第2测量部,先于第1测量部而测量拍摄区域的高度方向的位置,控制部通过用于根据由第2测量部测量拍摄区域的高度方向的位置而得的第1测量值来使基板在高度方向上移动的第1驱动、用于根据接着第1驱动而由第1测量部测量拍摄区域的高度方向的位置而得的第2测量值和第1测量值来使基板在高度方向上移动的第2驱动控制载置台,以使在拍摄区域到达曝光区域之前使被载置台保持的基板的高度方向的位置成为最终目标位置。

    曝光装置以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN108983554A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810642219.X

    申请日:2013-10-02

    发明人: 柴崎祐一

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明提供曝光装置以及器件制造方法。载物台装置具备平板(30)和晶片台(WST),该晶片台(WST)搭载于平板(30)上,且在与平板相对的面上形成有喷出口(73)。在晶片台(WST)降落在平板上的状态下,在平板(30)与晶片台(WST)之间形成有气室(72)。加压气体从设置于晶片台主体(22)上的喷出口(73)向气室(72)内喷出,由气室(72)的内压抵消晶片台(WST)的自重。由此,能够以手动方式移动停止在平板上的晶片台。

    一种光刻机硅片转移机构

    公开(公告)号:CN107678249A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201711031278.5

    申请日:2017-10-30

    发明人: 刘炫烨

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明涉及转移机构技术领域,尤其为一种光刻机硅片转移机构,包括机架、外侧板、硅片等待器、内侧板与收纳盒,所述机架的下端外表面固定安装有支腿,所述外侧板的前端外表面固定安装有步进电机,且外侧板的一侧外表面固定安装有抗干扰器,所述硅片等待器的下端外表面设有传送带,所述内侧板的一侧外表面固定安装有校正感应发射器,且校正感应发射器的一侧固定安装有光刻输入器。本发明所述的一种光刻机硅片转移机构,设有环形传送带、抗干扰器和收纳盒,能够在硅片转移过程中保护硅片不受损失,加快转移速度,并能消除来自外界的干扰因素,还能将硅片进行收纳整理,带来更好的使用前景。

    处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106200277A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610576185.X

    申请日:2013-03-08

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种处理装置,沿长度方向传送长条且具有挠性的片状基板,同时将元件的图案转印至片状基板上,其具有:旋转圆筒体,具有距规定的轴线为固定半径的圆筒状的外周面,并通过外周面的一部分卷绕并保持片状基板的一部分,同时绕轴线旋转;转印处理部,在保持片状基板的旋转圆筒体的外周面的特定的周向位置上,将图案转印至片状基板上;刻度部,能够与旋转圆筒体一同绕轴线旋转,且具有从轴线沿着规定半径的外周面的周向排列为环状的能够读取的刻度;和多个编码器读头部,配置在与刻度部的外周面相对的周围的2个以上的部位,以读取根据旋转圆筒体的旋转而沿周向移动的刻度,多个编码器读头部中的、特定的2个编码器读头部分别以使从轴线观察到的刻度的读取位置为90±5.8度的角度范围的方式设定。

    一种快速光刻系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105700302A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610241127.1

    申请日:2016-04-18

    发明人: 张瑞杰 彭强

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种快速光刻系统,包括放置待刻工件的操作台、以及对所述待刻工件进行光刻的光刻装置,所述操作台为气浮转台,所述待刻工件被固定设置于所述气浮转台的台面上;还包括用于接收外部输入的待刻工件所对应的加工信息的待刻信息输入单元、用于实时反馈待刻工件相对于光刻装置所处的相对位置信息的待刻工件位置信息反馈单元、和用于根据待刻工件位置信息和待刻信息而驱动所述光刻装置对待刻工件实行光刻的待刻信息输出调制控制器。本发明中,通过在气浮转台上设置待刻工件,并通过分别控制光纤束中每个光纤的光射出与光关闭,使得能够一次性完成大数据量的光刻动作,不仅能够满足个性化的定制需求,同时也大幅提高了光刻效率。

    光刻系统以及光刻方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103869629B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201210537189.9

    申请日:2012-12-13

    发明人: 伍强

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种光刻系统以及光刻方法。根据本发明的光刻方法包括以下步骤:使掩膜在与掩膜表面平行的平面内进行振荡运动,使表面涂敷有光致抗蚀剂的晶圆在与晶圆表面平行的平面内进行振荡运动,其中晶圆表面与掩膜表面彼此平行并且掩膜的振荡运动与晶圆的振荡运动彼此同步;根据晶圆和掩膜的速度来调节照明光束的强度;以及使用调节后的照明光束照射掩膜和晶圆的至少一部分,从而在晶圆表面获得所希望的光致抗蚀剂图案。根据本发明的光刻系统和光刻方法能够减小能耗,提高扫描速度和效率,增加半导体器件的产量。

    台架装置、光刻装置、物品的制造方法和确定方法

    公开(公告)号:CN105319863A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510336733.7

    申请日:2015-06-17

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明涉及台架装置、光刻装置、物品的制造方法和确定方法,提供了包括可移动的台架的台架装置,该台架装置包括:被配置为通过向台架提供推力驱动台架的驱动单元;被配置为测量台架的位置的测量单元;和被配置为通过向驱动单元供给由用于减少台架的当前位置与目标位置之间的偏差的第一信号和用于减少由包含于推力中的推力波动导致的台架振动的第二信号构成的信号控制台架位置的控制单元。